[发明专利]芯片封装结构及用以形成芯片封装结构的方法在审

专利信息
申请号: 202210328913.0 申请日: 2022-03-30
公开(公告)号: CN114975400A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 黄贺昌;李福仁;曹佩华;吕学德 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/485;H01L23/482;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 用以 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,包括:

一第一芯片结构,包括一基板以及该基板上方的一互连层;

一第二芯片结构,在该互连层上方;

一第一导电凸块,于该互连层以及该第二芯片结构之间连接;

一导电柱,于该互连层上方;

一模制层,于该互连层上方且围绕该第二芯片结构、该第一导电凸块以及该导电柱;以及

一第二导电凸块,于该导电柱的一第一表面上方,其中该第一表面背向该第一芯片结构。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该第二芯片结构的一第二表面与该导电柱的该第一表面齐平。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该第二导电凸块比该导电柱宽。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中该导电柱的一第一厚度与该第二芯片结构的一第二厚度以及该第一导电凸块的一第三厚度的总和相等。

5.一种芯片封装结构,包括:

一第一芯片结构,其包括一第一基板以及于该第一基板上方的一第一互连层;

一第二芯片结构,于该第一互连层上方,其中该第二芯片结构包括一第二基板以及于该第二基板下方的一第二互连层,且该第二互连层在该第二基板以及该第一互连层之间;

一导电柱,于该第一互连层上方;

一模制层,于该第一互连层以及该第二芯片结构上方且围绕该导电柱;以及

一导电凸块,部分地嵌入该模制层中且连接至该导电柱。

6.如权利要求5所述的芯片封装结构,其中该导电凸块穿过该导电柱上方的该模制层以连接至该导电柱。

7.如权利要求5所述的芯片封装结构,其中该导电柱的一端部延伸至该模制层中的该导电凸块中。

8.一种用以形成芯片封装结构的方法,包括:

形成一导电柱于一半导体结构上方,其中该半导体结构包括一基板以及该基板上方的一互连层,且该导电柱在该互连层上方并连接至该互连层;

通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至该互连层;

形成一模制层于该互连层上方,其中该模制层围绕该芯片结构、该第一导电凸块以及该导电柱;以及

形成一第二导电凸块于该导电柱上方并连接至该导电柱。

9.如权利要求8所述的用以形成芯片封装结构的方法,其中形成该模制层包括:

形成一模制材料层于该互连层、该芯片结构以及该导电柱上方;以及

移除该芯片结构以及该导电柱上方的该模制材料层。

10.如权利要求8所述的用以形成芯片封装结构的方法,形成该模制层包括:

形成一模制材料层于该互连层、该芯片结构以及该导电柱上方;以及

移除该导电柱上方的该模制材料层以形成一凹槽于该模制材料层中,其中该凹槽暴露该导电柱的一顶表面,且该第二导电凸块形成于该凹槽中。

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