[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法

说明书

提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括两个第一源极/漏极部件和第一数量的纳米结构，第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第一源极/漏极部件之间纵向延伸。第二晶体管包括两个第二源极/漏极部件和第二数量的纳米结构，第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第二源极/漏极部件之间纵向延伸。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件、半导体结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即每个芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

这种按比例缩小还增加了处理和制造IC的复杂性。

例如，随着集成电路(IC)技术向更小的技术节点发展，已经引入多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(多栅极MOSFET或多栅极器件)以通过以下方式改进栅极控制：增加栅极-沟道耦接，减小断态电流，以及减小短沟道效应(SCE)。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。多桥沟道(MBC)晶体管是多栅极器件的示例。MBC晶体管具有可以在沟道区域周围部分或完全地延伸的栅极结构，以在两侧或多侧上提供对沟道区域的访问。由于其栅极结构围绕沟道区域，因此MBC晶体管也可以称为环绕栅晶体管(SGT)或全环栅(GAA)晶体管。

由于它们的不同的性能特性，具有不同配置的MBC晶体管可以适用于不同的电路功能。虽然现有的MBC晶体管和用于形成MBC晶体管的方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们并非在所有方面都令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一晶体管，包括：两个第一源极/漏极部件，和第一数量的纳米结构，所述第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个所述第一源极/漏极部件之间纵向延伸；以及第二晶体管，包括：两个第二源极/漏极部件，和第二数量的纳米结构，所述第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个所述第二源极/漏极部件之间纵向延伸，其中，所述第一数量小于所述第二数量。

本发明的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：第一数量的沟道构件，设置在第一鳍结构上方；第一栅极结构，包裹所述第一数量的沟道构件中的每个；第二数量的沟道构件，设置在第二鳍结构上方，所述第二数量大于所述第一数量；第二栅极结构，包裹所述第二数量的沟道构件中的每个；介电鳍，沿着第一方向设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；以及隔离部件，沿着所述第一方向设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间，其中，所述介电鳍包括第一底面和低于所述第一底面的第二底面。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域上方选择性地形成第一抗穿通(APT)层；在所述第二区域中选择性地形成第二抗穿通层；在所述第一区域和所述第二区域上方沉积半导体层的第一堆叠件；从所述第二区域选择性地去除所述半导体层的第一堆叠件；在所述选择性地去除之后，在所述第二区域上方选择性地沉积半导体层的第二堆叠件；图案化所述半导体层的第一堆叠件和所述半导体层的第二堆叠件以在所述第一区域上方形成第一鳍状结构和在所述第二区域上方形成第二鳍状结构；在所述图案化之后，在所述衬底上方沉积隔离部件；以及选择性地回蚀刻所述第二区域上方的所述隔离部件，使得所述第一区域上方的所述隔离部件具有第一厚度，并且所述第二区域上方的所述隔离部件具有小于所述第一厚度的第二厚度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。