[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，包括：

两个第一源极/漏极部件，和

第一数量的纳米结构，所述第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个所述第一源极/漏极部件之间纵向延伸；以及

第二晶体管，包括：

两个第二源极/漏极部件，和

第二数量的纳米结构，所述第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个所述第二源极/漏极部件之间纵向延伸，

其中，所述第一数量小于所述第二数量。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二数量的纳米结构的最底部的纳米结构低于所述第一数量的纳米结构的最底部的纳米结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二源极/漏极部件的底面低于所述第一源极/漏极部件的底面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一伪外延部件，设置在两个所述第一源极/漏极部件中的每个下方；以及

第二伪外延部件，设置在两个所述第二源极/漏极部件中的至少一个下方。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，两个所述第一源极/漏极部件和两个所述第二源极/漏极部件包括第一半导体材料和第一类型掺杂剂，

其中，所述第一伪外延部件和所述第二伪外延部件包括第二半导体材料并且不含所述第一类型掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述第一晶体管还包括设置在所述第一数量的纳米结构下方的第一抗穿通(APT)部件，

其中，所述第二晶体管还包括设置在所述第二数量的纳米结构下方的第二抗穿通部件。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第一抗穿通部件与所述第一伪外延部件直接接触，

其中，所述第二抗穿通部件与所述第二伪外延部件直接接触。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二抗穿通部件低于所述第一抗穿通部件。

9.一种半导体结构，包括：

第一数量的沟道构件，设置在第一鳍结构上方；

第一栅极结构，包裹所述第一数量的沟道构件中的每个；

第二数量的沟道构件，设置在第二鳍结构上方，所述第二数量大于所述第一数量；

第二栅极结构，包裹所述第二数量的沟道构件中的每个；

介电鳍，沿着第一方向设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；以及

隔离部件，沿着所述第一方向设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间，

其中，所述介电鳍包括第一底面和低于所述第一底面的第二底面。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供包括第一区域和第二区域的衬底；

在所述第一区域上方选择性地形成第一抗穿通(APT)层；

在所述第二区域中选择性地形成第二抗穿通层；

在所述第一区域和所述第二区域上方沉积半导体层的第一堆叠件；

从所述第二区域选择性地去除所述半导体层的第一堆叠件；

在所述选择性地去除之后，在所述第二区域上方选择性地沉积半导体层的第二堆叠件；

图案化所述半导体层的第一堆叠件和所述半导体层的第二堆叠件以在所述第一区域上方形成第一鳍状结构和在所述第二区域上方形成第二鳍状结构；

在所述图案化之后，在所述衬底上方沉积隔离部件；以及

选择性地回蚀刻所述第二区域上方的所述隔离部件，使得所述第一区域上方的所述隔离部件具有第一厚度，并且所述第二区域上方的所述隔离部件具有小于所述第一厚度的第二厚度。