[发明专利]半导体晶元、多晶元集成封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 202210072282.0 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114300432A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 胡自立;彭红村;何细雄;赵丽萍;王卫国 | 申请（专利权）人： | 深圳成光兴光电技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L21/607 |
| 代理公司： | 广东普润知识产权代理有限公司 44804 | 代理人： | 寇闯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 多晶 集成 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种半导体晶元，其上设有焊盘，其特征在于，所述焊盘呈长条形，所述焊盘的一端为用于与另一晶元连接的晶元连接区域，另一端为用于与所述晶元连接区域连接的安全线连接区域。
2.如权利要求1所述的半导体晶元，其特征在于，所述焊盘呈长方形。
3.如权利要求1所述的半导体晶元，其特征在于，所述焊盘端部的连接区域以及安全线连接区域的宽度均大于所述焊盘的中间段宽度。
4.如权利要求1所述的半导体晶元，其特征在于，所述焊盘位于所述半导体晶元顶面的边缘区域或中间区域。
5.一种多晶元集成封装结构，其特征在于，包括至少两个如权利要求1至4中任一项所述的半导体晶元，所述半导体晶元上的晶元连接区域通过导线与另一个半导体晶元上的晶元连接区域连接；所述半导体晶元上的晶元连接区域通过安全线与其上的安全线连接区域连接。
6.如权利要求5所述的多晶元集成封装结构，其特征在于，所述导线以及安全线均为金属线。
7.一种如权利要求5或6所述的多晶元集成封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用超声波焊接设备，将导线的第一端焊接在第一个半导体晶元上的晶元连接区域上，形成第一焊点；
S2、放开导线，机台将导线的第二端拉至第二个半导体晶元上的晶元连接区域上，并采用超声波焊接设备将导线的第二端焊接在晶元连接区域上，形成第二焊点，同时切断导线；
S3、采用超声波焊接设备，将安全线的第一端焊接在第二焊点上，并压紧第二焊点，将安全线的第二端焊接在第二个半导体晶元的安全线连接区域上，形成第三焊点；
S4、重复上述步骤，直至将所述半导体晶元完成导线连接以及安全线连接。
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