[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括，提供晶圆，所述晶圆包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域，在所述晶圆的中间区域和边缘区域上形成目标图层后，在所述目标图层上形成掩膜图形层，且所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度小于所述中间区域上的掩膜图形层的厚度；以所述掩膜图形层为掩膜，刻蚀所述目标图层，在所述中间区域和边缘区域上的所述目标图层中形成目标结构。前述方法能防止晶圆不同区域的器件存在蚀刻深度不同的问题，进而提高器件的性能。

技术领域

本申请涉及存储器制作领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

在现有半导体结构的制备过程中(比如DRAM的制作过程中)，晶圆不同区域的器件存在蚀刻深度不同的问题，进而影响器件的性能。

发明内容

鉴于此，本申请一些实施例中提供了一种半导体结构的形成方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域；

在所述晶圆的中间区域和边缘区域上形成目标图层；

在所述目标图层上形成掩膜图形层，且所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度小于所述中间区域上的掩膜图形层的厚度；

以所述掩膜图形层为掩膜，刻蚀所述目标图层，在所述中间区域和边缘区域上的所述目标图层中形成目标结构。

在一些实施例中，所述目标图层包括牺牲层和支撑层交替层叠形成的堆叠结构，所述掩膜层的形成过程为：在所述堆叠结构上形成掩膜材料层；通过化学机械研磨工艺研磨所述掩膜材料层，形成掩膜层，且在研磨的过程中，对所述边缘区域上的掩膜材料层的研磨速率大于对中间区域上的掩膜材料层的研磨速率，使得所述形成的掩膜层在所述边缘区域上的厚度小于在所述中间区域上的厚度；对所述掩膜层进行图案化，形成掩膜图形层。

在一些实施例中，所述在进行研磨的过程中，通过研磨头夹持所述晶圆，将所述晶圆上的掩膜材料层贴向研磨垫，并通过所述研磨头施加压力，且所述研磨头在所述研磨的过程中对所述晶圆的边缘区域施加的压力大于对所述晶圆的中间区域施加的压力，从而使得对所述边缘区域上的掩膜材料层的研磨速率大于对中间区域上的掩膜材料层的研磨速率。

在一些实施例中，所述研磨头在所述研磨的过程中对所述晶圆的边缘区域施加的压力比对所述晶圆的中间区域施加的压力大15％-35％。

在一些实施例中，所述边缘区域为距离所述晶圆的边缘距离为5-10mm的环状区域。

在一些实施例中，所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度比所述中间区域上的掩膜图形层的厚度小0.5％-5％。

在一些实施例中，所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度小于所述中间区域上的掩膜图形层的厚度的数值范围为3nm-10nm。

在一些实施例中，所述掩膜图形层为单层或多层堆叠结构，所述掩膜图形层和所述堆叠结构之间还具有刻蚀停止层。

在一些实施例中，所述掩膜图形层的材料可以为多晶硅、无定型硅、无定型碳、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的一种或几种。

在一些实施例中，所述边缘区域上掩膜图形层的厚度从靠近中间区域到远离中间区域的方向上逐渐减小。