[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域；

在所述晶圆的中间区域和边缘区域上形成目标图层；

在所述目标图层上形成掩膜图形层，且所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度小于所述中间区域上的掩膜图形层的厚度；

以所述掩膜图形层为掩膜，刻蚀所述目标图层，在所述中间区域和边缘区域上的所述目标图层中形成目标结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标图层包括牺牲层和支撑层交替层叠形成的堆叠结构，所述掩膜层的形成过程为：在所述堆叠结构上形成掩膜材料层；通过化学机械研磨工艺研磨所述掩膜材料层，形成掩膜层，且在研磨的过程中，对所述边缘区域上的掩膜材料层的研磨速率大于对中间区域上的掩膜材料层的研磨速率，使得所述形成的掩膜层在所述边缘区域上的厚度小于在所述中间区域上的厚度；对所述掩膜层进行图案化，形成掩膜图形层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在进行研磨的过程中，通过研磨头夹持所述晶圆，将所述晶圆上的掩膜材料层贴向研磨垫，并通过所述研磨头施加压力，且所述研磨头在所述研磨的过程中对所述晶圆的边缘区域施加的压力大于对所述晶圆的中间区域施加的压力，从而使得对所述边缘区域上的掩膜材料层的研磨速率大于对中间区域上的掩膜材料层的研磨速率。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述研磨头在所述研磨的过程中对所述晶圆的边缘区域施加的压力比对所述晶圆的中间区域施加的压力大15％-35％。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述边缘区域为距离所述晶圆的边缘距离为5-10mm的环状区域。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度比所述中间区域上的掩膜图形层的厚度小0.5％-5％。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述边缘区域上的掩膜图形层的厚度小于所述中间区域上的掩膜图形层的厚度的数值范围为3nm-10nm。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜图形层为单层或多层堆叠结构，所述掩膜图形层和所述堆叠结构之间还具有刻蚀停止层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜图形层的材料可以为多晶硅、无定型硅、无定型碳、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的一种或几种。

10.如权利要求1或8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述边缘区域上掩膜图形层的厚度从靠近中间区域到远离中间区域的方向上逐渐减小。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标结构包括形成在所述堆叠结构之间的若干电容孔，所述形成方法还包括：在所述电容孔的侧壁和底面上形成下电极，去除所述下电极之间的牺牲层，形成空腔。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述晶圆的中间区域和边缘区域上还形成有底层介质层，所述中间区域和边缘区域上的底层介质层中还形成有若干下电极接触垫；在所述底层介质层上形成所述堆叠结构，所述若干电容孔的底部暴露出相应的下电极接触垫如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述下电极的表面以及空腔的内壁表面形成电介质层；在所述电介质层的表面形成上电极层。

13.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述支撑层的材料与所述牺牲层的材料不相同。

14.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述支撑层和牺牲层的层数至少均为一层。