[发明专利]半导体电路的制造方法及半导体制造系统

说明书

一种半导体电路的制造方法及半导体制造系统，在一种半导体元件的制造方法中，从装载端口取回半导体晶圆。将半导体晶圆传送至处理装置。在处理装置中，将半导体晶圆的表面暴露于电浆风的定向流，以从半导体晶圆的表面清除粒子。电浆风流是由环境电浆产生器产生，并将其以相对于半导体晶圆的表面的垂直平面的倾斜角导入持续预设的电浆暴露时间。在清除之后，将光阻层设置于半导体晶圆上。

技术领域

本揭露的实施方式是关于半导体电路的制造方法及半导体制造系统。

背景技术

在集成电路(integrated circuit，IC)设计期间，在基板上产生用于不同的IC处理步骤的IC的多个图案。可通过将罩幕的布局图案投影，例如成像，于晶圆的光阻层上，来产生图案。微影制程将罩幕的布局图案转移至晶圆的光阻层，使得蚀刻、植入、或其他步骤仅应用于晶圆的预定义区域。为了将罩幕的布局图案转移至光阻层，期望罩幕不具有附接至罩幕的表面的粒子或残留物，以在微影操作中，将罩幕的布局图案明显且清晰地成像于晶圆上。另外，期望晶圆不具有附接至晶圆的表面的粒子或残留物，而可在微影术操作中，将光阻层均匀地分布于晶圆的整个表面上。

发明内容

依照本揭露的一些实施方式，一种半导体元件的制造方法包含经由装载端口取回半导体晶圆；将半导体晶圆传送至处理装置；通过将半导体晶圆的表面暴露于电浆风定向流持续预设的电浆暴露时间，以在处理装置中从半导体晶圆的表面清除粒子，电浆风定向流由环境电浆产生器产生，且电浆风定向流相对于半导体晶圆的表面的垂直平面成一倾斜角；以及在清除之后，将光阻层设置于半导体晶圆上。

依照本揭露的一些实施方式，一种半导体电路的制造法包含通过将倍缩光罩的表面暴露于电浆风定向流持续预设的电浆暴露时间，以在处理装置中从倍缩光罩的表面清除粒子，电浆风定向流是由环境电浆产生器产生，且相对于倍缩光罩的表面的垂直平面成一倾斜角；在清除之后，将倍缩光罩从处理装置传送至曝光装置，以进行微影操作；以及使用曝光装置的极紫外(EUV)源的入射EUV辐射，将倍缩光罩的布局图案投影至晶圆的光阻层上。

依照本揭露的一些实施方式，一种半导体制造系统包含主控制器、耦合至主控制器的分析器模块、具有可延伸机器手臂的晶圆交换装置、处理装置、及曝光装置。处理装置包含配置以安装倍缩光罩或晶圆的第一平台及环境电浆产生器。曝光装置包含配置以安装倍缩光罩的第二平台、极紫外(EUV)光源、及配置以固持晶圆的第三平台。主控制器命令环境电浆产生器将电浆风定向流导向第一平台的方向持续预设的电浆暴露时间，以从安装在处理装置的第一平台上的倍缩光罩或晶圆的表面清除粒子。在清除之后，主控制器配置以命令晶圆交换装置通过可延伸机器手臂将倍缩光罩或晶圆从处理装置传送至曝光装置，以进行微影操作。

附图说明

下列详细的描述配合附图阅读可使本揭露获得最佳的理解。需强调的是，依照业界的标准实务，各种特征并未依比例绘示，且仅为说明的目的。事实上，可任意增加或减少各种特征的尺寸，以使讨论清楚。

图1是绘示产生光阻图案于半导体基板上的制程流程；

图2A及图2B是绘示在多个位置之间传送倍缩光罩及晶圆的处理系统；

图3是绘示依照本揭露的一些实施方式的产生光阻图案于半导体基板上的制程流程；

图4是绘示产生光阻图案于晶圆上的微影术系统的曝光装置的示意图；

图5A、图5B、及图5C是绘示依照本揭露的一些实施方式的使用电浆风从基板清洁粒子的处理装置；

图6A及图6B是绘示基板的表面及基板的表面上的粒子；

图7A及图7B是绘示依照本揭露的一些实施方式的基板的表面上的粒子的检查系统及用于清洗基板的系统；

图8是绘示依照本揭露的一些实施方式的用于清洗倍缩光罩或晶圆基板，并将倍缩光罩的布局图案投影至晶圆上的控制系统；