[发明专利]半导体电路的制造方法及半导体制造系统

权利要求书

1.一种半导体电路的制造方法，其特征在于，该方法包含：

经由一装载端口取回一半导体晶圆；

将该半导体晶圆传送至一处理装置；

通过将该半导体晶圆的一表面暴露于一电浆风定向流持续一预设电浆暴露时间，以在该处理装置中从该半导体晶圆的该表面清除一粒子，该电浆风定向流是由一环境电浆产生器产生，且该电浆风定向流相对于该半导体晶圆的该表面的一垂直平面成一倾斜角；以及

在该清除之后，将一光阻层设置于该半导体晶圆上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包含：

在该清除之前，检查该半导体晶圆的一表面；

产生该半导体晶圆的该表面上的一或多个粒子的一粒子图，其中该粒子图包含多个粒子位置；以及

通过依照该粒子图移动该半导体晶圆，以在该处理装置中从该半导体晶圆的该表面连续地清除该或该些粒子。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该粒子图包含多个粒子大小，该方法还包含：

基于该些粒子大小调整该电浆风定向流的一速度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该方法还包含：

调整该环境电浆产生器的一输出端口的一输出开口的一宽度，以调整该电浆风定向流的该速度。

5.一种半导体电路的制造方法，其特征在于，该方法包含：

通过将一倍缩光罩的一表面暴露于一电浆风定向流持续一预设的电浆暴露时间，以在一处理装置中从该倍缩光罩的该表面清除一粒子，该电浆风定向流是由一环境电浆产生器产生，且相对于该倍缩光罩的该表面的一垂直平面成一倾斜角；

在该清除之后，将该倍缩光罩从该处理装置传送至一曝光装置，以进行一微影操作；以及

使用该曝光装置的一极紫外源的一入射极紫外辐射，将该倍缩光罩的一布局图案投影至一晶圆的一光阻层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，清洁该倍缩光罩的该表面包含：

通过将该倍缩光罩的该表面上的二或多个非重叠区中的一第一区曝光于成该倾斜角的该电浆风定向流持续该预设的电浆暴露时间，以在该处理装置中清洁该倍缩光罩的该表面上的该二或该多个非重叠区中的该第一区，其中每个非重叠区包含一或多个粒子；以及

对该倍缩光罩的该表面上的该二或该多个非重叠区的多个其他区上重复该清洁，以清洁该倍缩光罩的整个表面。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法还包含：

调整该环境电浆产生器的一输出端口的一输出开口的一宽度，以调整该电浆风定向流的一速度及一角度。

8.一种半导体制造系统，其特征在于，该半导体制造系统包含：

一主控制器；

一分析器模块，耦合至该主控制器；

一晶圆交换装置，具有一可延伸机器手臂；

一处理装置，包含：

一第一平台，配置以安装一倍缩光罩或一晶圆；以及

一环境电浆产生器；以及

一曝光装置，包含：

一第二平台，配置以安装该倍缩光罩；

一极紫外光源；以及

一第三平台，配置以固持该晶圆；

该主控制器配置以命令该环境电浆产生器将一电浆风定向流导向该第一平台的一方向持续一预设的电浆暴露时间，以从安装在该处理装置的该第一平台上的该倍缩光罩或该晶圆的一表面清除一粒子；以及

在该清除之后，该主控制器配置以命令该晶圆交换装置通过该可延伸机器手臂将该倍缩光罩或该晶圆从该处理装置传送至该曝光装置，以进行一微影操作。

9.根据权利要求8所述的半导体制造系统，其特征在于，该处理装置还包含：

一铰接壁，耦合至位于该环境电浆产生器的一输出端口的一输出开口处的一风角控制器，其中该风角控制器配置以使该铰接壁旋转，以改变该电浆风定向流的一方向及一速度。

10.根据权利要求8所述的半导体制造系统，其特征在于，该半导体制造系统还包含：

一检查装置，包含：

一第四平台，配置以固持该晶圆或该倍缩光罩；以及

一扫描成像装置，安装在该第四台之上，且配置以获取该晶圆或该倍缩光罩的该表面的一影像，并将所获取的该影像发送至该分析器模块，其中该分析器模块配置以产生该晶圆或该倍缩光罩的该表面上的多个粒子的一粒子图，并将该些粒子的该粒子图发送至该处理装置，其中该处理装置配置以通过该电浆风定向流连续地去除每一该些粒子。