[发明专利]高频模块和通信装置在审
| 申请号: | 202180079271.9 | 申请日: | 2021-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN116490968A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 上岛孝纪;竹松佑二;山口幸哉;吉见俊二;荒屋敷聪;佐俣充则;后藤聪;佐佐木丰;青池将之 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;严美善 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高频 模块 通信 装置 | ||
高频模块(1)具备:第一基材(71),其由第一半导体材料构成;第二基材(72),其由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成,在第二基材(72)形成有功率放大电路(11);第三基材(73),在第三基材(73)形成有发送滤波器电路(61T和/或62T);以及模块基板(90),其具有配置有第一基材(71)、第二基材(72)以及第三基材(73)的主面(90a),其中,第一基材(71)经由电极(717)来与主面(90a)接合,在截面视图中,第二基材(72)配置于模块基板(90)与第一基材(71)之间,且经由电极(724)来与主面(90a)接合,在俯视视图中,第一基材(71)的至少一部分与第二基材(72)的至少一部分及第三基材(73)的至少一部分重叠。
技术领域
本发明涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中,特别是伴随多频段化的进展,构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂化。
专利文献1中公开了一种高频模块,该高频模块具备安装基板、配置在安装基板上的双工器(滤波器电路)、以及包括层叠在双工器上的放大器的半导体集成电路(IC:Integrated Circuit)。通过在双工器上层叠半导体IC,实现了高频模块的小型化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2020/179541号
发明内容
发明要解决的问题
然而,在上述以往的技术中,半导体IC由具有比较低的热导率的砷化镓(GaAs)构成,因此半导体IC内的放大器所发出的热难以被放出。其结果,存在如下情况:半导体IC的温度上升,热从半导体IC流入到双工器,从而使双工器的特性劣化。
因此,本发明提供一种能够抑制因热引起的滤波器电路的特性的劣化并且实现小型化的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备:第一基材,该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成;第二基材,该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成,在该第二基材形成有放大电路;第三基材,该第三基材的至少一部分由压电材料构成,在该该第三基材形成有滤波器电路;以及模块基板,其具有配置有第一基材、第二基材以及第三基材的主面,其中,第一基材经由第一电极来与主面接合,在截面视图中,第二基材配置于模块基板与第一基材之间,且经由第二电极来与主面接合,在俯视视图中,第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分及第三基材的至少一部分重叠。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备:第一基材,该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成,在该第一基材形成有第一电气电路;第二基材,该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成,在该第二基材形成有放大电路;第三基材,该第三基材的至少一部分由压电材料构成,在该第三基材形成有滤波器电路;以及模块基板,其具有配置有第一基材、第二基材以及第三基材的主面,其中,第一基材经由第一电极来与主面接合,在截面视图中,第二基材配置于模块基板与第一基材之间,且经由第二电极来与主面接合,在俯视视图中,第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分及第三基材的至少一部分重叠。
发明的效果
根据本发明的一个方式所涉及的高频模块,能够抑制因热引起的滤波器的特性的劣化并且实现小型化。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图4是实施方式1所涉及的高频模块的部分截面图。
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