[发明专利]高频模块和通信装置

权利要求书

1.一种高频模块，具备：

第一基材，所述第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成；

第二基材，所述第二基材的至少一部分由热导率比所述第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在所述第二基材形成有放大电路；

第三基材，所述第三基材的至少一部分由压电材料构成，在所述第三基材形成有滤波器电路；以及

模块基板，其具有配置有所述第一基材、所述第二基材以及所述第三基材的主面，

其中，所述第一基材经由第一电极来与所述主面接合，

在截面视图中，所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，且经由第二电极来与所述主面接合，

在俯视视图中，所述第一基材的至少一部分与所述第二基材的至少一部分及所述第三基材的至少一部分重叠。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

在所述第一基材形成有第一电气电路。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

所述第二基材、所述第一基材以及所述第三基材按此顺序从所述模块基板侧起依次层叠。

4.根据权利要求2所述的高频模块，其中，

所述第三基材经由形成于所述第三基材的侧面的侧面布线来与所述第一基材连接。

5.根据权利要求3或4所述的高频模块，其中，

所述高频模块具备第四基材，所述第四基材的至少一部分由第三半导体材料构成，在所述第四基材形成有第二电气电路，

所述第二基材、所述第一基材、所述第三基材以及所述第四基材按此顺序从所述模块基板侧起依次层叠。

6.根据权利要求3～5中的任一项所述的高频模块，其中，

所述高频模块具备绝缘层，在截面视图中，所述绝缘层配置于所述第一基材与所述第三基材之间，所述绝缘层由热导率比所述第一半导体材料的热导率低的材料构成。

7.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

在截面视图中，所述第三基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，

在俯视视图中，所述第一基材的一部分与所述第二基材的至少一部分重叠，

在俯视视图中，所述第一基材的另一部分与所述第三基材的至少一部分重叠，

在俯视视图中，所述第二基材不与所述第三基材重叠。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，

所述放大电路是功率放大电路。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其中，

所述滤波器电路包括SAW滤波器即声表面波滤波器。

10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，

所述第三基材具有：

压电层，其由所述压电材料构成，形成有IDT电极即叉指换能器电极；

低声速层，在所述低声速层中传播的体波的声速比在所述压电层中传播的体波的声速低；以及

高声速层，在所述高声速层中传播的体波的声速比在所述压电层中传播的弹性波的声速高，

其中，所述高声速层、所述低声速层以及所述压电层按此顺序依次层叠在所述第一基材上。

11.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其中，

所述滤波器电路包括BAW滤波器即体声波滤波器。

12.根据权利要求11所述的高频模块，其中，

所述第三基材具有：

声多层膜，其由多个低声阻抗膜和多个高声阻抗膜交替层叠而成，所述多个高声阻抗膜分别具有比所述多个低声阻抗膜的声阻抗高的声阻抗；

下部电极；

压电层，其由所述压电材料构成；以及

上部电极，

其中，所述声多层膜、所述下部电极、所述压电层以及所述上部电极按此顺序依次层叠在所述第一基材上。