[发明专利]高频模块和通信装置

说明书

高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电子电路；第二基材(20)，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子(150)，其配置于主面(80b)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a及80b)中的主面(80b)一侧，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，第二基材(20)与第一基材(10)接合，第二基材经由电极(23)来与主面(80b)连接。

技术领域

本发明涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

在专利文献1中公开了具有如下结构的半导体模块：构成功率放大器(放大器)的半导体芯片配置于布线基板的下表面。由此，能够在布线基板的两面配置电子部件，因此能够小型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-40602号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1所公开的半导体模块中，放大器由以GaAs为材料的晶体管构成。

然而，在用热导率低的材料、如GaAs形成放大器的晶体管的情况下，存在如下问题：放大器的散热性低，因此动作温度会上升而使放大特性劣化。另外，存在如下问题：为了抑制温度上升，必须确保散热面积大，从而无法使半导体模块充分地小型化。

本发明是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供一种散热性优异的小型的高频模块和通信装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在第一基材形成有电子电路；第二基材，第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子，其配置于第二主面，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面和第二主面中的第二主面一侧，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，第二基材与第一基材接合，第二基材经由第一电极来与第二主面连接。

另外，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，第一基材的至少一部分由硅构成，在第一基材形成有电子电路；第二基材，第二基材的至少一部分由砷化镓构成，在第二基材形成有放大电路；以及外部连接端子，其配置于第二主面，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面和第二主面中的第二主面一侧，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，第二基材与第一基材接合，第二基材经由第一电极来与第二主面连接。

发明的效果

根据本发明，能够提供散热性优异的小型的高频模块和通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图3是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图4是实施例所涉及的第一基材的截面结构图。

图5是实施例所涉及的第二基材的截面结构图。

具体实施方式