[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180023116.5 申请日: 2021-03-23
公开(公告)号: CN115298813A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 田中裕人;冈修一;御手洗俊;足立研;五十岚崇裕;大鸟居英;栫山直树;关晃辅;重田博幸 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/15;H01L27/146;H05K3/46
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

玻璃基板,包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间的第一侧表面;

配线,设置在所述第一表面和所述第二表面上;

第一绝缘膜,覆盖所述第一表面;

第二绝缘膜,覆盖所述第二表面;以及

第三绝缘膜,覆盖所述第一侧表面,所述第三绝缘膜与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一者连续。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一绝缘膜至所述第三绝缘膜连续地设置在所述第一侧表面、所述第一表面和所述第二表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一绝缘膜至所述第三绝缘膜包括相同的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述配线的局部部分在所述第一表面和所述第二表面上直接接触所述玻璃基板。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一表面上的所述配线的层数和所述第一绝缘膜的层数分别与所述第二表面上的所述配线的层数和所述第二绝缘膜的层数相同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

第一金属膜,覆盖在所述第一表面和所述第二表面之间贯通所述玻璃基板的通孔的内壁;以及

第四绝缘膜,填充在所述通孔中的所述第一金属膜的内部,

其中,所述第四绝缘膜包括与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜相同的材料并且与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜连续。

7.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,所述配线的与所述玻璃基板直接接触的每一部分在所述通孔的上方具有开口。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第三绝缘膜的侧表面是平坦的。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:框架,在所述第一侧表面上,设置在所述第三绝缘膜的外部。

10.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,所述框架具有在与所述第一表面相同的侧上的第三表面、在与所述第二表面相同的侧上的第四表面以及面向所述第一侧表面的第二侧表面,

所述第一绝缘膜从所述第一表面到所述第三表面连续地设置,并且

所述第二绝缘膜从所述第二表面到所述第四表面连续地设置。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,还包括:

第二金属膜,设置在所述框架的所述第三表面上;以及

第三金属膜,设置在所述框架的所述第四表面上。

12.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,所述框架包括线膨胀系数基本上等于所述玻璃基板的线膨胀系数的材料。

13.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述玻璃基板的所述第一侧表面具有在垂直于所述第一表面的方向上的截面中向外突出的弯曲形状。

14.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述玻璃基板的所述第一侧表面具有在垂直于所述第一表面的方向上的截面中向外突出的弯曲形状,

所述通孔的内侧表面具有在垂直于所述第一表面的方向上的截面中向所述通孔的内部突出的弯曲形状,以及

所述第一侧表面的曲率基本上等于所述通孔的所述内侧表面的曲率。

15.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

金属板,设置在所述第一表面与所述第二表面之间贯穿所述玻璃基板的第二通孔中;以及

第五绝缘膜,设置在所述第二通孔与所述金属板之间并且与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一者连续。

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