[发明专利]用于分离半导体芯片的装置和用于通过使用其分离半导体芯片的方法在审
申请号: | 202180006303.2 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN114730726A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 金恩犯;金柱贤;李光珠;金丁鹤;张允宣 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑;俱玉云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分离 半导体 芯片 装置 通过 使用 方法 | ||
公开了用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从基底构件分离的装置和方法。所述方法包括:在基底构件的与其上设置有半导体芯片的一侧相反的一侧上提供推动构件,并且在与半导体芯片邻近的方向上移动推动构件的步骤;以及通过拾取单元将与推动构件一起移动的半导体芯片从基底构件分离的步骤。粘合构件和推动构件各自被磁化使得排斥力作用于彼此。
技术领域
本发明要求于2020年2月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0014526号的申请日的权益,本发明中包括其全部内容。本发明涉及用于分离半导体芯片的装置和用于使用其分离半导体芯片的方法。
背景技术
通常,在半导体制造过程中,以芯片水平对整体地附接在晶片上的数个半导体芯片进行切割的过程称为锯切过程,并且对于锯切过程,将用于固定待切割的半导体芯片的基底构件(所谓的切割胶带)附接至晶片的下表面。
将通过锯切过程而以芯片水平分离的各半导体芯片送至管芯附接过程,并且在管芯附接过程中,通过使用拾取单元等将各半导体芯片从基底构件分离并拾取,并且将其运送至电连接装置例如基板和引线框。
同时,根据近来趋势,半导体芯片的尺寸逐渐变得更小并且其厚度也变得更小。此外,根据这样的趋势,在半导体芯片与基底构件之间插入的管芯附接膜(Die Attach Flim,DAF)的厚度也变得更小。
如上所述,随着半导体芯片和DAF的尺度变化,在半导体芯片分离和拾取过程中,裂纹和半导体芯片拾取失误出现的频率增加,从而导致产量降低。
在相关技术中,为了改善待拾取的物体的拾取特性,用数个推顶器将待拾取的物体向上推,即,用推顶器将待拾取的物体从其底部向上推,并且同时,拾取单元通过在待拾取的物体的顶部,用真空将经推动的待拾取的物体固定来进行拾取。然而,当使用推顶器时,存在力被局部施加至待拾取的物体的问题,这导致具有小厚度的待拾取的物体破坏的问题。
上述背景技术为这样的技术信息:其被本发明人用于得到本发明的实施方案而拥有或者在得到本发明的实施方案的过程中而获得,并且可能不一定说该背景技术为在提交用于本发明的实施方案的申请之前对公众公开的公知技术。
发明内容
技术问题
本发明的实施方案旨在提供用于容易地将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从基底构件分离的装置和方法。
待通过本发明解决的问题不限于前述问题,并且本领域技术人员从以下描述中将清楚地理解其他未提及的问题。
技术方案
本发明的一个实施方案提供了用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从基底构件分离的方法,所述方法包括:在基底构件的与其上设置有半导体芯片的一侧相反的一侧上提供推动构件,并且在与半导体芯片邻近的方向上移动推动构件的步骤;以及通过拾取单元将与推动构件一起移动的半导体芯片从基底构件分离的步骤,其中粘合构件和推动构件各自被磁化使得排斥力作用于彼此。
根据本发明的一个实施方案,粘合构件和推动构件可以在其厚度方向上被磁化。
根据本发明的一个实施方案,推动构件的上表面可以小于半导体芯片的下表面。
根据本发明的一个实施方案,粘合构件可以为管芯附接膜(DAF)。
根据本发明的一个实施方案,所述管芯附接膜可以通过以下来制造:向包含聚合物的液体混合物提供磁性材料,将磁性材料磁化使得磁性材料在预定方向上取向,以及将液体混合物干燥。
根据本发明的一个实施方案,拾取单元可以通过在其中形成真空来吸取半导体芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学,未经株式会社LG化学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180006303.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造