[发明专利]用于分离半导体芯片的装置和用于通过使用其分离半导体芯片的方法在审

专利信息
申请号: 202180006303.2 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN114730726A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 金恩犯;金柱贤;李光珠;金丁鹤;张允宣 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 梁笑;俱玉云
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 分离 半导体 芯片 装置 通过 使用 方法
【权利要求书】:

1.一种用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从所述基底构件分离的方法,所述方法包括:

在所述基底构件的与其上设置有所述半导体芯片的一侧相反的一侧上提供推动构件,并且在与所述半导体芯片邻近的方向上移动所述推动构件的步骤;以及

通过拾取单元将与所述推动构件一起移动的所述半导体芯片从所述基底构件分离的步骤,

其中所述粘合构件和所述推动构件各自被磁化使得排斥力作用于彼此。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合构件和所述推动构件在其厚度方向上被磁化。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述推动构件的上表面小于所述半导体芯片的下表面。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合构件为管芯附接膜(DAF)。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述管芯附接膜通过以下来制造:向包含聚合物的液体混合物提供磁性材料,将所述磁性材料磁化使得所述磁性材料在预定方向上取向,以及将所述液体混合物干燥。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述拾取单元通过在其中形成真空来吸取所述半导体芯片。

7.一种用于将经由粘合构件而设置在基底构件上的半导体芯片从所述基底构件分离的装置,所述装置包括:

推动构件,所述推动构件通过在与所述半导体芯片邻近的方向上从所述基底构件移动来使所述半导体芯片移动;和

拾取单元,所述拾取单元通过拾取与所述推动构件一起移动的所述半导体芯片来将所述半导体芯片从所述基底构件分离,

其中所述粘合构件和所述推动构件各自被磁化使得排斥力作用于彼此,以及所述推动构件设置在所述基底构件的与其上设置有所述半导体芯片的一侧相反的一侧上。

8.根据权利要求7所述的装置,其中所述粘合构件和所述推动构件在其厚度方向上被磁化。

9.根据权利要求7所述的装置,其中所述推动构件的上表面小于所述半导体芯片的下表面。

10.根据权利要求7所述的装置,其中所述粘合构件为管芯附接膜(DAF)。

11.根据权利要求10所述的装置,其中所述管芯附接膜通过以下来制造:向包含聚合物的液体混合物提供磁性材料,将所述磁性材料磁化使得所述磁性材料在预定方向上取向,以及将所述液体混合物干燥。

12.根据权利要求7所述的装置,其中所述拾取单元通过在其中形成真空来吸取所述半导体芯片。

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