[实用新型]一种垂直LED芯片、阵列以及显示面板

说明书

本实用新型涉及一种垂直LED芯片、阵列以及显示面板，在垂直LED芯片中，因为在衬底与外延层相对的一侧设置有导电层，并外延层与衬底上设置有贯穿孔，位于贯穿孔中的导电柱可以电连接该导电层与外延层中靠近衬底的N型半导体层，从而利用导电层作为垂直LED芯片实际的N电极。在这种情况下，N电极的设置不需要将外延层与衬底剥离，也不需要将外延层键合到其他衬底上，这不仅简化了垂直LED芯片生产的工序，提升了生产效率，而且可以避免外延层转移导致的破片风险，提升LED芯片的生产良率。

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，尤其涉及一种垂直LED芯片、阵列以及显示面板。

背景技术

垂直结构的LED芯片中因为电流在两个电极之间流动时可以均匀地穿过外延层，避免局部电流拥堵，外延层发光不均的问题，所以在实际生产中得到了较为广泛的应用。不过，垂直LED芯片中两个电极分别位于外延层的两侧，这导致在制备其中一个电极时，必须要将外延层从原衬底上剥离并键合到新衬底上，外露出外延层与原衬底之间的界面后才能进行该电极的制作。但外延层在原衬底与新衬底之间的转移不仅导致垂直LED芯片的制备工艺复杂，生产效率低下，而且衬底剥离与衬底键合的过程中都容易导致外延片破片，降低了生产良率，提升了生产成本。

因此，如何提升垂直结构的LED芯片的生产效率与生产良率是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种垂直LED芯片、阵列以及显示面板，旨在解决垂直LED芯片制备过程中必须要经历衬底转移的过程而导致的生产效率与生产良率低的问题。

本申请提供一种垂直LED芯片，包括：

衬底；

设于衬底一侧的外延层，外延层包括N型半导体层、量子阱层与P型半导体层，三者与衬底的距离依次增大；

包覆外延层的绝缘层；

设于外延层远离衬底一侧且与P型半导体层电连接的P电极；

设于衬底另一侧的导电层；以及

设置于贯穿外延层与衬底的贯穿孔中，并被配置为电连接导电层与N型半导体层的导电柱。

上述垂直LED芯片中，因为在衬底与外延层相对的一侧设置有导电层，并外延层与衬底上设置有贯穿孔，位于贯穿孔中的导电柱可以电连接该导电层与外延层中靠近衬底的N型半导体层，从而利用导电层作为垂直LED芯片实际的N电极。在这种情况下，N电极的设置不需要将外延层与衬底剥离，也不需要将外延层键合到其他衬底上，这不仅简化了垂直LED芯片生产的工序，提升了生产效率，而且可以避免外延层转移导致的破片风险，提升LED芯片的生产良率。

可选地，导电层与衬底贴合设置。

可选地，还包括电流扩展层，电流扩展层位于P型半导体层与P电极之间。

上述LED芯片中还包括设置在P型半导体层与P电极之间的电流扩展层，可以利用电流扩展层横向扩展电流，避免电流直接以最短路径在P电极与N电极之间流动，提升了外延层中电流流动的均匀性，提升了LED芯片的出光效果。

可选地，导电层包括至少两个金属子层。

上述垂直LED芯片中，导电层包括金属子层，金属通常具有良好的导热性能，因此，导电层不仅可以实现垂直LED芯片N电极的电气功能，而且还可以增强垂直LED芯片的散热性能，避免垂直LED芯片因热量无法及时散出而带来的发光性能下降，品质受到影响的问题，有利于增强垂直LED芯片的品质。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种LED阵列，包括至少两上述任一项的垂直LED芯片，各垂直LED芯片共衬底，且共导电层。