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[实用新型]显示面板以及显示器-CN202320537768.7有效
发明人：赵永周;马非凡;戴广超;赵世雄;周秀衡 -专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示器，显示面板包括驱动背板和发光模组，发光模组包括至少三个发光层和多个沿驱动背板平面方向排布的像素区，每个发光层内嵌设多个发光芯片且各个发光芯片分别设于不同的像素区，位于不同发光层内的发光芯片颜色不同；驱动背板包括多个驱动层，每个发光芯片包括第一电极和第二电极，同一像素区内各个发光芯片的第一电极串联并导通至驱动背板，第二电极分别导通至不同的驱动层，驱动背板独立控制各个发光芯片发光，以实现各个像素区的全彩显示功能。本申请通过设置多个驱动层，并使得同一像素区内的各个发光芯片可单独由一个驱动层控制驱动，以扩大单个像素区内的电流调节范围，进而扩大显示面板的亮度调节范围。
显示面板以及显示器

[实用新型]量子点发光二极管及显示设备-CN202320729714.0有效
发明人： 戴广超;马非凡;赵永周;黄兆斌;马振琦 -专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种量子点发光二极管及显示设备。所述量子点发光二极管，包括衬底、量子点层以及发光二极管芯片。量子点层位于衬底的第一表面。发光二极管芯片键合于量子点层背离衬底的一侧。其中，发光二极管芯片在第一表面上的正投影位于量子点层在第一表面上的正投影范围内，且发光二极管芯片在第一表面上的正投影边界与量子点层在第一表面上的正投影边界之间具有第一间隔区域。本实用新型的量子点发光二极管及显示设备，提高了红光量子点发光二极管的发光效率，进而加速了全彩发光二极管芯片的商用。
量子发光二极管显示设备

[发明专利]芯片转移方法及转移装置-CN202210143539.7在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;康志杰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片转移方法及转移装置。芯片转移方法包括以下步骤。提供转移基板，转移基板的一侧设置有键合材料层，以及键合于键合材料层上的多个待转移芯片。基于键合材料层，形成与待转移芯片一一对应的弱化结构。对待转移芯片进行检测，以从多个待转移芯片中确定出不良芯片。基于不良芯片对应的弱化结构，将不良芯片固定至转移基板上。转移不良芯片之外的其他待转移芯片至驱动背板的一侧。上述芯片转移方法可以有效提高芯片的转移良率。
芯片转移方法装置

[实用新型]一种像素单元和显示面板-CN202320684905.X有效
发明人： 戴广超;马非凡;赵永周;王子川;马振琦 -专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请涉及一种像素单元和显示面板，像素单元包括：透光基板；与透光基板层叠的反射层，反射层上设有多个贯穿的反射孔；以及多个发光二极管，发光二极管与反射层位于透光基板的同一侧，且发光二极管与反射孔位置相对，发光二极管产生的至少部分光线经反射孔的孔壁反射后穿过透光基板。像素单元，在透光基板上增加了层叠设置的反射层，并且反射层上还设有多个贯穿的反射孔，并且让多个发光二极管设于反射层位于透光基板的同一侧，且发光二极管与反射孔位置相对，这样通过反射孔的孔壁对发光二极管的至少部分光线进行反射可以有效的提高像素单元的发光亮度，同时由于反射孔的隔离还可以提高像素单元的对比度。
一种像素单元显示面板

[发明专利]芯片组件及其制作方法、芯片转移方法-CN202210125962.4在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;赵世雄;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法，制作的芯片组件中的各微型LED芯片通过至少位于相对的第一侧面和第二侧面并搭接于其底面边缘的支撑臂和支撑体被悬空支撑于第二基板上，进行芯片转移时只需自微型LED芯片的底面施加向第二基板的力即可使得支撑臂断裂，从而使得微型LED芯片脱离第二基板，有效降低了微型LED芯片的转移难度，非常适合工业上大规模应用。
芯片组件及其制作方法转移方法

[发明专利]一种LED芯片制备方法-CN202210117231.5在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片制备方法，在外延层上形成包覆外延层的绝缘层后，会对中间片源进行初刻蚀和再刻蚀，从而形成自绝缘层下外露的电极设置区，并在电极设置区中设置芯片电极，得到LED芯片。由于形成电极设置区的刻蚀过程分为初刻蚀和再刻蚀，并且再刻蚀形成的刻蚀面的粗糙度低于初刻蚀所形成的刻蚀面的粗糙度，所以，通过再刻蚀可以提升电极设置区的平整度，从而改善芯片电极与电极设置区的接触情况，降低芯片电压，提升所制得的LED芯片的品质。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片制造方法-CN202111249853.5有效
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片制造方法，其包括：提供衬底；在所述衬底形成外延层，所述外延层具有蚀道，所述蚀道自所述外延层中远离所述衬底的表面延伸至所述衬底；在所述外延层的外表面以及蚀道的底部形成保护层；在所述蚀道中形成填充层；在所述保护层以及所述填充层中远离所述衬底的表面形成具有图案的光刻胶层；基于所述光刻胶层的图案去除所述保护层的部分，以形成第一电极槽和第二电极槽；在所述第一电极槽设置与所述外延层电连接的第一电极，在所述第二电极槽中设置与所述外延层电连接的第二电极。通过在蚀道中填充层，可使在所述填充层以及外延层上的保护层上形成的光刻胶层更薄，进而可使发光二极管芯片的制造尺寸更小。
一种发光二极管芯片制造方法

[发明专利]芯片转移基板及其制备方法、芯片转移装置及方法-CN202111595054.3在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;康志杰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片转移基板及其制备方法、芯片转移装置及方法。该芯片转移基板包括暂态基板；图形化层，位于暂态基板的表面，图形化层内具有开口图形；键合层，在受热前具有第一状态，且在受热后具有第二状态，键合层处于第一状态时填满开口图形并覆盖图形化层远离暂态基板的表面，且键合层处于第二状态时收缩于开口图形内。该芯片转移基板中的键合层，在受热前具有第一状态，并在受热后具有第二状态，因此在芯片转移过程中，可以通过加热芯片转移基板，使得芯片转移基板中的键合层从第一状态转变为第二状态，第二状态时的键合层收缩于开口图形内，从而与待转移芯片分离，便于芯片拾取装置稳定抓取待转移芯片，提升芯片转移良率和效率。
芯片转移及其制备方法装置

[发明专利]一种暂态基板组件及其制备方法-CN202111443480.5在审
发明人：马非凡;曹进;戴广超;张雪梅 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种暂态基板组件及其制备方法，在第二基板上设置有支撑层，同时在支撑层中还有多个互相隔离的容纳腔，每一个容纳腔中均放置有发光芯片，由于发光芯片被放置在支撑层的容纳腔内，容纳腔可以将发光芯片的移动范围约束在容纳腔内，在移动暂态基板组件的过程保证发光芯片的移动范围在工艺误差的允许范围内容，从而提高了发光芯片转移的成功率，提高了发光芯片转移的良率。
一种暂态基板组件及其制备方法

[发明专利]发光芯片的转移方法、显示面板和显示装置-CN202111402494.2在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;赵世雄;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及一种发光芯片的转移方法，所述发光芯片的转移方法包括：提供外延片，通过外延片得到多个发光芯片，发光芯片之间通过半导体段连接；在外延片上的多个半导体段上制作胶柱；提供第一临时基板，第一临时基板设置于在胶柱背对所述半导体段的一端；移除外延片上的衬底层以形成包括多个发光芯片的片源；去除发光芯片与半导体段之间的连接，将片源中的多个发光芯片转移至背板上，多个发光芯片与背板电连接。发光芯片发光芯片。所述发光芯片的转移方法解决了由于发光芯片无法便捷地被弹性印模抓取的问题。本申请还提供了一种显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。
发光芯片转移方法显示面板显示装置

[实用新型]光转换层、显示面板、像素单元及光转换层制备装置-CN202320014599.9有效
发明人：赵永周;马非凡;戴广超;陈德伪;赵世雄 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请涉及光转换层、显示面板、像素单元及光转换层制备装置。其中光转换层包括：透光的基板，所述基板中设有粗细均匀一致的微流道；多个圆球形的光处理结构，所述光处理结构中包括第一光处理结构、第二光处理结构、第三光处理结构，三者分别被配置为将同种波长的入射光处理成红光、绿光、蓝光后出射；以及设于相邻的所述光处理结构之间的隔离结构；其中，所述光处理结构及所述隔离结构位于同一所述微流道内。本申请可提升激发光光品质，提升光转换层的转化效率。
转换显示面板像素单元制备装置

[实用新型]一种像素单元及显示面板-CN202320014624.3有效
发明人： 戴广超;马非凡;赵永周;周秀衡;陈德伪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种像素单元及显示面板。像素单元集成了红光芯片、绿光芯片以及蓝光芯片，能实现红绿蓝全彩出光，在制备显示面板时，以向驱动背板转移像素单元代替转移单颗的发光芯片，能够提升转移效率与转移良率，进而提升显示面板的制备效率与制备良率。同时，像素单元中还有与发光芯片一一对应，且与发光芯片出光面相对的DBR单元，通过设置DBR单元对光的选择性透射，使得像素单元中各子像素的出光更纯净，避免受相邻子像素的影响，有利于提升像素单元的对比度，增强基于该像素单元所制得的显示面板的显示效果。
一种像素单元显示面板

[发明专利]芯片转移方法-CN202111358629.X在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种芯片转移方法。该芯片转移方法包括以下步骤：提供表面形成有多个LED芯片的生长基板；将LED芯片转移至暂态基板，LED芯片远离暂态基板的一侧具有裸露的第一表面；在暂态基板上形成连接LED芯片的支撑层，并在暂态基板中形成贯穿通道；向第一表面施加作用力，以使各LED芯片通过贯穿通道转移至目标基板。采用本申请的上述芯片转移方法，利用LED芯片自身的重力实现了向目标基板的转移，能够大大提高芯片转移良率；并且，利用本申请上述芯片转移工艺，通过将贯穿通道的位置与预修复的目标位置对应，通过向LED芯片施加作用力，还可以实现目标位置处缺失芯片的修复。
芯片转移方法

[发明专利]LED芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法-CN202111353435.0在审
发明人： 戴广超;马非凡;曹进;王子川;赵世雄 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供一种LED芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法。在转移LED芯片到驱动背板的过程中，只要将LED芯片组件与驱动背板对齐，并让LED芯片的迎背面朝向驱动背板，就可以保证LED芯片在操作体的施压下直接掉落到驱动背板的芯片接收区，转移过程简单、便捷，且在多个操作体同时工作的情况下，就可以保证多颗LED芯片同时被转移到驱动背板，提升了LED芯片的转移效率。另外LED芯片掉落的过程实际上就是LED芯片穿出贯穿口的过程，而LED芯片穿出贯穿口时在水平方向上的移动会受到贯穿口侧壁的限制，这样可以利用贯穿口侧壁限制LED芯片掉落过程在水平方向上的偏移，减少LED芯片的偏移与翻转，提升LED芯片转移位置的精确性，提升LED芯片的转移良率。
led 芯片组件及其制备方法显示面板

[发明专利]芯片及其制备方法-CN202111331993.7有效
发明人：赵世雄;曹进;马非凡;戴广超;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片及其制备方法。芯片制备方法包括：提供基底；于基底表面形成叠层结构，叠层结构包括：从下到上依次层叠的第一外延层、发光层和第二外延层；图形化叠层结构，于叠层结构中形成第一隔离区，第一隔离区暴露出第一外延层的第一表面；于叠层结构的顶部形成从下到上依次层叠的透明导电层和第一电极；于所述第一电极的顶部制备转移衬底；图形化基底，于基底中形成与第一隔离区相对应的第二隔离区，第二隔离区域暴露出第一外延层的第二表面，第二表面与第一表面相对设置；采用激光剥离工艺剥离基底；图形化第一外延层，并于第一外延层表面形成第二电极。上述芯片制备方法可以减少激光剥离工艺所产生的热量和应力对芯片电学性能的影响。
芯片及其制备方法

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