[实用新型]一种垂直LED芯片、阵列以及显示面板

权利要求书

1.一种垂直LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

设于所述衬底一侧的外延层，所述外延层包括N型半导体层、量子阱层与P型半导体层，三者与所述衬底的距离依次增大；

包覆所述外延层的绝缘层；

设于所述外延层远离所述衬底一侧且与所述P型半导体层电连接的P电极；

设于所述衬底另一侧的导电层；以及

设置于贯穿所述外延层与所述衬底的贯穿孔中，并被配置为电连接所述导电层与所述N型半导体层的导电柱。

2.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述导电层与所述衬底贴合设置。

3.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述贯穿孔沿其轴向至少分为大径段与小径段，所述大径段的孔径大于所述小径段的孔径，且所述大径段与所述小径段以所述N型半导体层朝向所述量子阱层的一面为界，所述小径段与所述N型半导体层相对。

4.如权利要求3所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述导电柱包括柱帽以及与所述柱帽连接的柱杆，所述柱杆与所述导电层连接，所述柱帽位于所述大径段中；所述绝缘层还被配置为覆盖所述大径段的内侧壁与底壁，所述绝缘层覆盖所述底壁的部分位于所述柱帽与所述N型半导体层之间。

5.如权利要求1-4任一项所述的垂直LED芯片，其特征在于，还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于所述P型半导体层与所述P电极之间。

6.如权利要求1-4任一项所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述导电层包括至少两个金属子层。

7.如权利要求6所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述导电层中与所述衬底距离最远的所述金属子层为金层。

8.如权利要求7所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述导电层还包括铂层与铬层，且所述铂层位于所述铬层与所述金层之间。

9.一种LED阵列，其特征在于，包括至少两颗如权利要求1-8任一项所述的垂直LED芯片，各所述垂直LED芯片共所述衬底，且共所述导电层。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板中包括驱动背板与多颗如权利要求1-8任一项所述的垂直LED芯片，所述垂直LED芯片的P电极与所述导电层分别与所述驱动背板中的驱动电路电连接。