[实用新型]一种大功率芯片封装结构

说明书

本实用新型提供了一种大功率芯片封装结构，包括下电极板、多个垂直结构芯片、封装胶和上电极板，多个垂直结构芯片均位于下电极板和上电极板之间，多个垂直结构芯片的上电极和下电极分别与上电极板和下电极板电连接，封装胶填充于上电极板和下电极板之间。本实用新型通过设置上电极板和下电极板使多个垂直结构芯片均能直接电连接在上电极板和下电极板之间，实现消除了相邻垂直结构芯片之间的阻隔，使多个垂直结构芯片阵列排布的密度能够增加，最终提高了单位面积上的光谱功率。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装结构领域，具体是一种大功率芯片封装结构。

背景技术

红外线灯珠一般用于发出远红外线，其常应用于红外电磁炉、红外治疗仪等产品中，单颗红外线灯珠的功率较低，为提高单位面积上的光谱功率以满足大功率产品的需求，现有技术中，普通做法是增加多个红外线灯珠阵列排布的密度，红外灯珠包括封装支架和红外线芯片，其封装于封装支架内，在多个紧密阵列排布的红外灯珠中，相邻红外线芯片之间受到封装结构的阻隔，使相邻红外芯片的间距无法进一步缩小，难以进一步提高多个红外芯片的排布密度以进一步提高单位面积上的光谱功率，因此需要进行改进。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种大功率芯片封装结构,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种大功率芯片封装结构，包括下电极板、多个垂直结构芯片、封装胶和上电极板，多个所述垂直结构芯片均位于下电极板和上电极板之间，多个所述垂直结构芯片的上电极和下电极分别与上电极板和下电极板电连接，所述封装胶填充于上电极板和下电极板之间。

进一步地，所述下电极板包括下基板和下导电层，所述下导电层固设在下基板上，多个所述垂直结构芯片的下电极均与下导电层电连接。

进一步地，所述上电极板包括上基板和上导电层，所述上导电层固设在上基板下，多个所述垂直结构芯片的上电极与上导电层电连接。

进一步地，所述下电极板上设有多个下凹槽，多个所述下凹槽分别与多个垂直结构芯片的位置处相对应。

进一步地，所述上电极板下设有多个上凹槽，多个所述上凹槽分别与多个垂直结构芯片的位置处相对应。

进一步地，所述垂直结构芯片为不可见光芯片或可见光芯片。当垂直结构芯片为可见光芯片时，所述垂直结构芯片的光谱发射部朝上，所述上电极板为透明结构。

本实用新型的有益效果：

垂直结构芯片的光谱发射部朝上，当下电极板和上电极板分别与电源的两极导通时，垂直结构芯片通电且发出穿透上电极板的光谱以作用在目标上；

与现有技术相比，本实用新型通过设置上电极板和下电极板使多个垂直结构芯片均能直接电连接在上电极板和下电极板之间，实现消除了相邻垂直结构芯片之间的阻隔，使多个垂直结构芯片阵列排布的密度能够增加，最终提高了单位面积上的光谱功率。

通过封装胶将多个垂直结构芯片封装于上电极板和下电极板之间，使下电极板、多个垂直结构芯片和上电极板形成一个稳定连接的整体，同时通过封装胶使多个垂直结构芯片与空气隔绝，防止空气中的硫化物影响多个垂直结构芯片的使用寿命。

附图说明

图1：一种大功率芯片封装结构的实施例一的俯视示意图。

图2：一种大功率芯片封装结构的实施例一的A-A剖面示意图。

图3：一种大功率芯片封装结构的实施例二的俯视示意图。

图4：一种大功率芯片封装结构的实施例二的B-B剖面示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型进行进一步说明：