[实用新型]一种大功率芯片封装结构

权利要求书

1.一种大功率芯片封装结构，其特征在于：包括下电极板、多个垂直结构芯片、封装胶和上电极板，多个所述垂直结构芯片均位于下电极板和上电极板之间，多个所述垂直结构芯片的上电极和下电极分别与上电极板和下电极板电连接，所述封装胶填充于上电极板和下电极板之间。

2.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述下电极板包括下基板和下导电层，所述下导电层固设在下基板上，多个所述垂直结构芯片的下电极均与下导电层电连接。

3.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述上电极板包括上基板和上导电层，所述上导电层固设在上基板下，多个所述垂直结构芯片的上电极与上导电层电连接。

4.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述下电极板上设有多个下凹槽，多个所述下凹槽分别与多个垂直结构芯片的位置处相对应。

5.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述上电极板下设有多个上凹槽，多个所述上凹槽分别与多个垂直结构芯片的位置处相对应。