[实用新型]一种半导体封装

说明书

本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：衬底，其具有第一表面；第一多个芯片，其堆叠在所述第一表面上；以及第二多个芯片，其堆叠在所述第一表面上，其中所述第一多个芯片与所述第二多个芯片对称且向心堆叠，其特征在于，所述半导体封装进一步包含：第三多个芯片，其反折堆叠在所述第一多个芯片和所述第二多个芯片上。

技术领域

本实用新型大体涉及半导体封装技术，尤其涉及存储器堆叠的封装技术。

背景技术

随着半导体技术的发展和单个存储器芯片尺寸的减小，可将多个存储器芯片进行堆叠以增加存储器总容量，其中多个存储器芯片例如可为NAND、NOR、DRAM等存储芯片。此外，可将多个存储器芯片堆叠与具有不同芯片类型的芯片共同堆叠在衬底上实施整体封装，以期进一步减小芯片体积并整合功能。例如，多个NAND存储器芯片堆叠可与控制器芯片(例如但不限于通用闪存存储(Universal Flash Storage，UFS)芯片)共同堆叠在衬底上以构成管理NAND(manage NAND，mNAND)结构。

然而，现有技术所采用的多个存储器芯片的非对称堆叠存在例如长迹线、迹线长度失配、超长键合线键合等问题，从而导致性能降低。尽管可采用将多个存储器芯片进行反折堆叠的办法来解决超长键合线键合问题，但因其非对称堆叠本质导致其他问题依然存在。

为克服上述堆叠的非对称性所带来的技术问题，现有技术引入了对称堆叠结构，成功地解决了非对称堆叠所存在的固有问题，但却不利地引入了例如高成本、芯片易断裂、大厚度硅间隔物(Silicon Spacer，SS)以及基于制造的设计(Design For Manufacturing，DFM)问题等一系列新的技术问题。

有鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开提供了一种半导体封装，该半导体封装采用了融合式封装结构以替代传统的非对称堆叠结构或对称堆叠结构。

根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：衬底，其具有第一表面；第一多个芯片，其堆叠在所述第一表面上；以及第二多个芯片，其堆叠在所述第一表面上，其中所述第一多个芯片与所述第二多个芯片对称且向心堆叠，其特征在于，所述半导体封装进一步包含：第三多个芯片，其反折堆叠在所述第一多个芯片和所述第二多个芯片上。

根据本实用新型的又一实施例，半导体封装中位于所述第一多个芯片与所述第二多个芯片之间的空间容置控制芯片，所述控制芯片电连接至所述衬底。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述第一多个芯片和所述第二多个芯片具有第一芯片类型，且所述第三多个芯片具有不同于所述第一芯片类型的第二芯片类型。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述第三多个芯片的厚度比所述第一多个芯片和所述第二多个芯片的厚度薄。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述第一多个芯片、所述第二多个芯片和所述第三多个芯片分别经由各自的键合线键合至所述第一表面。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的位于所述第一多个芯片与所述第二多个芯片之间的空间容置存储器芯片，所述存储器芯片电连接至所述衬底。

根据本实用新型的另一实施例，一种半导体封装包含：衬底，其具有第一表面；中央芯片，其位于所述第一表面上且电连接至所述衬底；以及第一多个芯片和第二多个芯片，其共同堆叠在所述中央芯片上，其中所述第一多个芯片与所述第二多个芯片对称且向心堆叠，其特征在于，所述半导体封装进一步包含：第三多个芯片，其反折堆叠在所述第一多个芯片和所述第二多个芯片上。

根据本实用新型的另一实施例，半导体封装中的所述第一多个芯片经由第一间隔物连接至所述第一表面，且所述第二多个芯片经由第二间隔物连接至所述第一表面。