[发明专利]一种半导体外延结构及其应用在审
| 申请号： | 202111673455.6 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114121746A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 应用 | ||
1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一半导体层，设置在所述衬底上；
应力释放层，设置在所述第一半导体上；
第一有源层，设置在所述应力释放层上；
第二有源层，设置在所述第一有源层上；以及
第二半导体层，设置在所述有源层上。
2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述应力释放层的材料包括InxGa(1-x)N，且0.17x0.35。
3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述应力释放层的材料包括氮化镓，且所述氮化镓中掺杂浓度为5×1017～1×1018atoms/cm3的硅离子。
4.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述应力释放层包括周期循环的量子阱层和量子垒层，且所述量子阱层和所述量子垒层的周期数为2～6。
5.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述应力释放层的厚度为3～40nm。
6.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一有源层包括3～8个周期循环的势垒层和势阱层。
7.根据权利要求6所述的半导体外延结构，其特征在于，所述势垒层的材料为AlzGa(1-z)N，且0≤z0.3，所述势阱层的材料为InyGa(1-y)N，且0.17y0.4。
8.根据权利要求6所述的半导体外延结构，其特征在于，所述势垒层中掺杂有硅离子，且硅离子的掺杂浓度为5×1016～1×1017atoms/cm3。
9.根据权利要求6所述的半导体外延结构，其特征在于，所述势垒层为AlGaN与GaN的交替生长的2～6个周期的超晶格层。
10.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第二有源层包括2～6个周期循环的InuGa1-uN和GaN，且0.17u0.40。
11.根据权利要求10所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第二有源层的GaN内掺杂有硅离子，且硅离子的掺杂浓度为5×1016～1×1017atoms/cm3。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括如权1所述的半导体外延结构。
13.一种发光二极管，其特征在于，包括如权1所述的半导体外延结构。
14.一种微型发光二极管，其特征在于，包括如权1所述的半导体外延结构。
15.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括如权14所述的微型发光二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司，未经深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111673455.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多模态甲状旁腺识别系统及成像方法
- 下一篇：一种发光二极管及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
