[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成第一介质材料层以及位于所述第一介质材料层上的第一侧墙材料层；回刻蚀所述第一侧墙材料层直至暴露出所述第一介质材料层表面，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第一侧墙；去除所述第一开口内的所述第一侧墙后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第一侧墙的厚度，利于层间介质层在第一栅极和第二栅极之间的填充，从而提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种非易失性存储器，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，即断电数据也不会丢失。闪存主要分为NOR和NAND两种类型，通常称为NORFlash和NAND Flash。其中，NOR Flash，也称为编码型快闪记忆体。因为具备可直接执行代码、可靠性强、读取速度快等特性，从而成为闪存技术中主流的非易失性存储器。

随着集成电路制造技术的不断发展，为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，集成电路芯片朝向更高的器件密度、更高的集成度方向发展。现有的闪存结构性能有待进一步提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区；形成所述存储区上的第一栅极和若干第二栅极，以及外围区上的若干第三栅极，所述第一栅极和相邻的第二栅极之间具有第一开口；在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成第一介质材料层以及位于所述第一介质材料层上的第一侧墙材料层，所述第一介质材料层的材料和所述第一侧墙材料层的材料不同；回刻蚀所述第一侧墙材料层直至暴露出所述第一介质材料层表面，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第一侧墙；去除所述第一开口内的所述第一侧墙后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第一侧墙的厚度。

可选的，相邻两个第二栅极之间具有第二开口，所述第二开口下的存储区内具有存储源区。

可选的，所述存储源区的形成工艺包括自对准源区形成工艺。

可选的，在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成的所述第一介质材料层和所述第一侧墙材料层，使所述第二开口填满。

可选的，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度。

可选的，形成所述第一介质材料层前，还在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成第二介质材料层。

可选的，沿所述衬底表面法线方向上，所述第一介质材料层和所述第二介质材料层的总厚度具有第一值，所述第一侧墙材料层的厚度具有第二值，所述第一值和所述第二值的比例范围为1：1至1：3。

可选的，所述第一介质材料层的材料包括氮化硅；所述第二介质材料层的材料包括氧化硅；所述第一侧墙材料层的材料包括氧化硅；所述第二侧墙的材料包括氧化硅。

可选的，所述第二介质材料层的形成工艺包括高温热氧化工艺；所述第一侧墙材料层的形成工艺包括炉管正硅酸乙酯工艺；所述第二侧墙的形成工艺包括炉管正硅酸乙酯工艺。