[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区；

形成所述存储区上的第一栅极和若干第二栅极，以及外围区上的若干第三栅极，所述第一栅极和相邻的第二栅极之间具有第一开口；

在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成第一介质材料层以及位于所述第一介质材料层上的第一侧墙材料层，所述第一介质材料层的材料和所述第一侧墙材料层的材料不同；

回刻蚀所述第一侧墙材料层直至暴露出所述第一介质材料层表面，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；

在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第一侧墙；

去除所述第一开口内的所述第一侧墙后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第一侧墙的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，相邻两个第二栅极之间具有第二开口，所述第二开口下的存储区内具有存储源区。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述存储源区的形成工艺包括自对准源区形成工艺。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成的所述第一介质材料层和所述第一侧墙材料层，使所述第二开口填满。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质材料层前，还在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成第二介质材料层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿所述衬底表面法线方向上，所述第一介质材料层和所述第二介质材料层的总厚度具有第一值，所述第一侧墙材料层的厚度具有第二值，所述第一值和所述第二值的比例范围为1：1至1：3。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质材料层的材料包括氮化硅；所述第二介质材料层的材料包括氧化硅；所述第一侧墙材料层的材料包括氧化硅；所述第二侧墙的材料包括氧化硅。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质材料层的形成工艺包括高温热氧化工艺；所述第一侧墙材料层的形成工艺包括炉管正硅酸乙酯工艺；所述第二侧墙的形成工艺包括炉管正硅酸乙酯工艺。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述存储漏区的形成方法还包括：在所述存储区和所述第三栅极表面形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层和所述第一侧墙为掩膜，形成所述存储漏区。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口内的所述第一侧墙的方法还包括：形成所述存储漏区后，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一侧墙；去除所述第一侧墙后，去除所述第一掩膜层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙后，还包括：在所述存储区、所述第一栅极和所述第二栅极表面形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层和所述第二侧墙为掩膜，在所述第三栅极两侧的所述外围区内形成外围源漏层。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度范围为20nm至40nm，所述第二侧墙的厚度范围为20nm至35nm。