[发明专利]半导体退火设备及其控制方法

说明书

本发明提供了一种半导体退火设备及其控制方法。所述半导体退火设备包括3N个定位部、3N个调整部、移动控制部、第一加热部和第二加热部。3N个所述定位部的每个第二承托结构的自由端靠近所围成的工艺承载区的边缘，增加了目标晶圆的受热面积，以利于同时对所述目标晶圆的正背面进行加热，提高了工艺效率和加热均匀性；相邻第所述二承托结构之间的距离允许所述调整部的第一承托结构通过，设置所述移动控制部控制3N个所述调整部的运动，能够以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系，提高了工艺效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及半导体退火设备及其控制方法。

背景技术

现有技术的半导体退火设备的载片台采用完全接触晶圆背面的方式对晶圆进行承载。由于不能在载片台下方设置加热器件，如要对晶圆背面进行加热，还需要对晶圆进行移出和翻转后再放入载片台，显著影响退火工艺的效率。

因此，有必要开发一种新型的半导体退火设备及其控制方法以解决现有技术存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体退火设备及其控制方法，以有利于提高工艺效率和加热均匀性。

为实现上述目的，本发明的半导体退火设备包括：

3N个调整部，围成能够容纳目标晶圆的转移承载区，每个所述调整部包括第一承托结构，所述第一承托结构的自由端靠近所述转移承载区的中心；

3N个定位部，围成能够容纳所述目标晶圆的工艺承载区，每个所述定位部包括第二承托结构，所述第二承托结构的自由端靠近所述工艺承载区的边缘，相邻所述第二承托结构之间的距离允许所述第一承托结构通过；

移动控制部，通信连接3N个所述调整部，以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系；N为大于等于1的正整数。

本发明的半导体退火设备的有益效果在于：3N个所述定位部的每个第二承托结构的自由端靠近所围成的工艺承载区的边缘，增加了目标晶圆的受热面积，以利于后续同时对所述目标晶圆的正背面进行加热，提高了工艺效率和加热均匀性；相邻第所述二承托结构之间的距离允许所述调整部的第一承托结构通过，设置所述移动控制部控制3N个所述调整部的运动，能够以带动3N个所述第一承托结构进行运动，从而快速调整所述目标晶圆和所述工艺承载区之间的相对位置关系，提高了工艺效率。

优选的，所述半导体退火设备还包括第一加热部和第二加热部，所述第一加热部和所述第二加热部分别朝向所述工艺承载区的两侧设置，以加热所述目标晶圆的正面和背面。

优选的，所述第二承托结构为透光导热承托结构。其有益效果在于：提高对目标晶圆的加热均匀性。

优选的，所述第二承托结构包括凸起结构，以接触所述目标晶圆。其有益效果在于：增加目标晶圆的受热面积。

优选的，还包括通信连接所述移动控制部的位置信息获取部，所述位置信息获取部朝向所述工艺承载区的至少一侧设置，以获取并向所述移动控制部反馈所述目标晶圆的位置信息。其有益效果在于：准确将目标晶圆定位至工艺承载区。

优选的，每个所述调整部还包括相对所述第一承托结构倾斜设置的第一倾斜结构，所述第一倾斜结构与所述第一承托结构交汇形成第一限位区，3N个所述第一限位区限定所述转移承载区的范围。其有益效果在于：避免目标晶圆发生不必要的位置偏移。

优选的，每个所述定位部还包括相对所述第二承托结构倾斜设置的第二倾斜结构，所述第二倾斜结构与所述第二承托结构相接形成第二限位区，3N个所述第二限位区限定所述工艺承载区的范围。其有益效果在于：确保目标晶圆限位在所述工艺承载区的范围内，防止发生不必要的位置偏移。