[发明专利]一种压接式半导体功率模块

权利要求书

1.一种压接式半导体功率模块，其特征是，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的压接式半导体功率模块，其特征是，所述发射极凸台通过、焊层和发射极导体通过真空回流焊接连接成一体。

3.根据权利要求1所述的压接式半导体功率模块，其特征是，所述焊层采用SAC、SnSb系列无铅焊料或SnPb系列含铅焊料。

4.根据权利要求1所述的压接式半导体功率模块，其特征是，所述发射极凸台远离发射极导体的一端连接有钼片组件，所述焊层、发射极凸台和钼片组件形成子模块，所述功率模块还包括承压限位框和集电极导体，且子模块可插设于承压限位框内，所述发射极导体和集电极导体分别位于承压限位框两侧，且集电极导体和发射极导体远离承压限位框的一侧均压接有管盖，所述管盖、集电极导体、发射极导体外侧套设有管壳。

5.根据权利要求4所述的压接式半导体功率模块，其特征是，所述钼片组件包括集电极钼片和发射极钼片，且二者之间夹有半导体芯片，所述发射级钼片靠近发射极凸台且集电极钼片靠近集电极导体。

6.根据权利要求5所述的压接式半导体功率模块，其特征是，所述半导体芯片、发射级钼片和集电极钼片之间为接触连接、焊接连接或通过烧结工艺连接。