[发明专利]半导体结构及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括若干第一芯片及晶圆，所述第一芯片上形成有第一混合键合层，所述晶圆上形成有第二混合键合层，所述第一芯片通过键合的所述第一混合键合层和所述第二混合键合层键合在所述晶圆上，且相邻的两个所述第一芯片之间具有间隙；

所述第一混合键合层中具有若干第一焊盘组，所述第一焊盘组中具有至少一个焊盘，所述第二混合键合层中具有若干第二焊盘组，所述第二焊盘组中具有至少两个彼此电性连接的焊盘；以及，

若干所述第一焊盘组和若干所述第二焊盘组中的焊盘对应键合，至少一个所述第二焊盘组中的至少一个所述焊盘位于所述间隙中，用于进行电性测试。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，一个所述第一焊盘组与一个所述第二焊盘组中的焊盘对应键合；或者，一个所述第一焊盘组与至少两个所述第二焊盘组中的焊盘对应键合；或者，至少两个所述第一焊盘组与一个所述第二焊盘组中的焊盘对应键合。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片包括第一衬底及形成于所述第一衬底上的至少一个第一互连结构层，所述第一互连结构层与所述第一混合键合结构依次位于所述第一衬底的第一表面上；或者，一个所述第一互连层位于第一衬底的第一表面上，另一个所述第一互连结构层与所述第一混合键合层依次位于所述第一衬底的第二表面上；以及，

所述晶圆包括第二衬底及形成于所述第二衬底上的第二互连结构层，所述第二互连结构层与所述第二混合键合结构依次位于所述第二衬底的第一表面上。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构层中具有若干电性隔离的第一互连结构，所述第一焊盘组中的焊盘与对应的所述第一互连结构电性连接；以及，

所述第二互连结构层中具有若干电性隔离的第二互连结构，所述第二焊盘组中的焊盘与对应的所述第二互连结构电性连接。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二互连结构中具有若干层金属层，所述第二焊盘组中的焊盘与对应的所述第二互连结构中的顶层金属层直接电性连接，所述顶层金属层从所述第一混合键合层和所述第二混合键合层的键合面所在的区域中延伸至所述间隙所在的区域中。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一混合键合层中还具有若干第三焊盘组，所述第三焊盘组中具有至少一个焊盘，所述第二混合键合层中具有若干第四焊盘组，所述第四焊盘组中具有至少一个焊盘；以及，

若干所述第三焊盘组和若干所述第四焊盘组中的焊盘对应键合。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构层中还具有若干电性隔离的第三互连结构，所述第三焊盘组中的焊盘与对应的所述第三互连结构电性连接；以及，

所述第二互连结构层中还具有若干电性隔离的第四互连结构，所述第四焊盘组中的焊盘与对应的所述第四互连结构电性连接。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶圆上具有用于形成切割道的切割区域，所述间隙对准并露出所述切割区域，且所述间隙的横向宽度大于或等于所述切割区域的横向宽度。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括第一芯片及第二芯片，所述第二芯片包括键合区域及外围区域，所述第一芯片上形成有第一混合键合层，所述第二芯片上形成有第二混合键合层，所述第一芯片通过键合的所述第一混合键合层和所述第二混合键合层键合在所述第二芯片的键合区域上；

所述第一混合键合层中具有若干第一焊盘组，所述第一焊盘组中具有至少一个焊盘，所述第二混合键合层中具有若干第二焊盘组，所述第二焊盘组中具有至少两个彼此电性连接的焊盘；以及，

若干所述第一焊盘组和若干所述第二焊盘组中的焊盘对应键合，至少一个所述第二焊盘组中的至少一个所述焊盘位于所述外围区域中，用于进行电性测试。