[发明专利]半导体封装件的引线接合结构在审
| 申请号： | 202111371750.6 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114334896A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘旭唐;张皇贤 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 引线 接合 结构 | ||
1.一种半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，包括：
重布线层；
强化层，位于所述重布线层上；
接合焊盘，位于所述强化层上；
第一电子元件，位于所述重布线层上方，并且通过接合引线电连接至所述接合焊盘。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述重布线层包括介电材料，所述强化层的刚性大于所述重布线层的所述介电材料的刚性。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述强化层包括热固材料。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述接合焊盘包括第一接合焊盘，所述第一接合焊盘电连接至所述重布线层。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述强化层包括为模塑料。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述强化层内具有导电柱，所述导电柱穿过所述强化层并与所述第一接合焊盘连接。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，还包括：
介电层，位于介电层位于所述强化层上，所述接合焊盘位于所述介电层上。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，还包括：
第二电子元件，所述第二电子元件设置于所述强化层内；
其中，所述接合焊盘包括第二接合焊盘，所述第二接合焊盘位于所述强化层上并与所述第二电子元件电连接。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述第一电子元件位于所述强化层上。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件的引线接合结构，其特征在于，所述第一电子元件内埋于所述强化层内。
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