[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
| 申请号: | 202111371329.5 | 申请日: | 2021-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN114093893A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
| 发明(设计)人: | 胡锦堂;王敏;王光泉;邓立广;华刚;李少波;刘景昊;苏少凯;潘靓靓;王冬;王哲;陈鑫雨;林志宁;白家豪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77;G02F1/1685 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本申请提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,阵列基板包括衬底以及依次设置在衬底一侧的开关器件层、导电层和像素电极层,开关器件层包括第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括第一栅极层、第一有源层和第一源漏极层;导电层在衬底上的正投影与第一有源层在衬底上的正投影至少部分交叠,导电层与像素电极层绝缘设置,导电层与第一栅极层电连接。通过使导电层与第一栅极层电连接,当第一薄膜晶体管上加载栅极开启电压时,导电层上也具有电压,导电层可以作为第一薄膜晶体管的顶栅,吸引电子在背沟道区聚集,即增加第一薄膜晶体管的沟道宽度,增大第一薄膜晶体管的开态电流,因此可以提高第一薄膜晶体管的充电率和显示装置的刷新率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
近年来电子纸凭借其护眼、低功耗等优点,规模持续增长,也逐渐拓宽至教育、医疗等领域,应用电子纸的电子阅读器也逐渐成长为一种关键的产品形态。阅读器产品的分辨率和刷新率越高,产品的用户体验越好,较高的刷新率通过电子阅读器产品中薄膜晶体管的高充电率实现。
然而现有的电子阅读器中薄膜晶体管的充电率较低,导致电子阅读器的刷新率较低,对显示质量造成了影响,难以满足要求。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种阵列基板及其制作方法、显示面板,用以解决现有技术中电子阅读器存在的充电率和刷新率较低的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种阵列基板,包括:
衬底;
开关器件层,设置在所述衬底的一侧,包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层、第一有源层和第一源漏极层;
导电层,设置在所述开关器件层远离所述衬底的一侧,所述导电层在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影至少部分交叠;
像素电极层,设置在所述导电层远离所述衬底的一侧,所述像素电极层与所述第一源漏极层电连接;
其中,所述导电层与所述像素电极层绝缘设置,所述导电层与所述第一栅极层电连接。
可选的,所述开关器件层还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管错开设置;
所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层和第二源漏极层,所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述第二源漏极层与所述导电层电连接。
可选的,所述开关器件层包括栅极线,所述栅极线分别与所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述栅极线与所述第二源漏极层电连接,所述栅极线、所述第一栅极层以及所述第二栅极层同层设置。
可选的,所述阵列基板包括多个像素区以及位于多个像素区之间的非显示区,所述第二薄膜晶体管位于所述非显示区。
可选的,所述第二薄膜晶体管在所述衬底上的正投影与所述栅极线在所述衬底上的正投影交叠,所述栅极线与所述第二薄膜晶体管对应的部分复用为所述第二栅极层。
可选的,所述第一薄膜晶体管包括设置在所述第一栅极层和所述第一源漏极层之间的第一栅极绝缘层,所述第二薄膜晶体管包括设置在所述第二栅极层和所述第二源漏极层之间的第二栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层同层设置;
所述第二栅极绝缘层上设有第一过孔,所述第二源漏极层穿过所述第一过孔与所述栅极线电连接。
可选的,所述阵列基板还包括钝化层,所述钝化层设置在所述开关器件层和所述导电层之间,所述钝化层上设有第二过孔,所述第二过孔的位置与所述第二薄膜晶体管的位置对应,所述导电层穿过第二过孔与所述第二源漏极层电连接。
可选的,阵列基板包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述导电层和所述像素电极层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





