[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 202111371329.5 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN114093893A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 胡锦堂;王敏;王光泉;邓立广;华刚;李少波;刘景昊;苏少凯;潘靓靓;王冬;王哲;陈鑫雨;林志宁;白家豪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77;G02F1/1685
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张筱宁;王存霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底;

开关器件层,设置在所述衬底的一侧,包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层、第一有源层和第一源漏极层;

导电层,设置在所述开关器件层远离所述衬底的一侧,所述导电层在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影至少部分交叠;

像素电极层,设置在所述导电层远离所述衬底的一侧,所述像素电极层与所述第一源漏极层电连接;

其中,所述导电层与所述像素电极层绝缘设置,所述导电层与所述第一栅极层电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述开关器件层还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管错开设置;

所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层和第二源漏极层,所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述第二源漏极层与所述导电层电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述开关器件层包括栅极线,所述栅极线分别与所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述栅极线与所述第二源漏极层电连接,所述栅极线、所述第一栅极层以及所述第二栅极层同层设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括多个像素区以及位于多个像素区之间的非显示区,所述第二薄膜晶体管位于所述非显示区。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管在所述衬底上的正投影与所述栅极线在所述衬底上的正投影交叠,所述栅极线与所述第二薄膜晶体管对应的部分复用为所述第二栅极层。

6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括设置在所述第一栅极层和所述第一源漏极层之间的第一栅极绝缘层,所述第二薄膜晶体管包括设置在所述第二栅极层和所述第二源漏极层之间的第二栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层同层设置;

所述第二栅极绝缘层上设有第一过孔,所述第二源漏极层穿过所述第一过孔与所述栅极线电连接。

7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层,所述钝化层设置在所述开关器件层和所述导电层之间,所述钝化层上设有第二过孔,所述第二过孔的位置与所述第二薄膜晶体管的位置对应,所述导电层穿过第二过孔与所述第二源漏极层电连接。

8.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述导电层和所述像素电极层之间。

9.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管包括设置在所述第二栅极层和所述第二源漏极层之间的第二有源层;

所述第一有源层和所述第二有源层同层设置;和/或,所述第一源漏极层和所述第二源漏极层同层设置。

10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源层和所述第二有源层均包括沿衬底指向像素电极层方向依次层叠设置的本征半导体层和掺杂层。

11.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层在所述衬底上的正投影与所述第二有源层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。

12.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至11中任意一项所述的阵列基板。

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