[发明专利]半导体封装装置和半导体封装装置制造方法在审
| 申请号: | 202111235820.5 | 申请日: | 2021-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN116013874A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
| 发明(设计)人: | 廖顺兴 | 申请(专利权)人: | 讯芯电子科技(中山)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 钟良;严林 |
| 地址: | 528437 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置,其特征在于,包括:
线路重布层,具有第一面、相对于上述第一面的第二面、以及线路层,其中上述第一面具有开口;
导热体,设置于上述开口;
电子装置,设置于上述第一面,且位于上述导热体上方;
电子组件,设置于上述第一面;
封胶层,形成于上述线路重布层,上述封胶层围绕并露出上述电子装置,且覆盖上述电子组件;以及
焊球,设置于上述第二面,且与上述线路层电性连接。
2.如权利要求1所述的半导体封装装置,其特征在于,上述导热体的材质为铜、铜合金、陶瓷、石墨烯、石墨、奈米碳管、或奈米碳球。
3.如权利要求1所述的半导体封装装置,其特征在于,上述导热体与上述电子装置接触。
4.如权利要求1所述的半导体封装装置,其特征在于,上述导热体超出上述第一面并与上述电子装置接触。
5.一种半导体封装装置制造方法,其特征在于,包括:
提供线路重布层,其中上述线路重布层具有第一面、相对于上述第一面的第二面、以及线路层;
于上述线路重布层的上述第一面形成开口;
设置导热体于上述开口;
设置电子装置于上述第一面,且位于上述导热体上方;
设置电子组件于上述第一面;
形成封胶层于上述线路重布层的上述第一面,并覆盖上述电子装置以及上述电子组件;
研磨上述封胶层以露出上述电子装置的顶部;以及
设置焊球于上述第二面,且与上述线路层电性连接。
6.如权利要求5所述的半导体封装装置制造方法,其特征在于,上述导热体的材质为铜、铜合金、陶瓷、石墨烯、石墨、奈米碳管、或奈米碳球。
7.如权利要求5所述的半导体封装装置制造方法,其特征在于,上述导热体与上述电子装置接触。
8.如权利要求5所述的半导体封装装置制造方法,其特征在于,上述导热体超出上述第一面并与上述电子装置接触。
9.如权利要求5所述的半导体封装装置制造方法,其特征在于,更包括使用机械钻孔、蚀刻或激光钻孔形成上述开口。
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