[发明专利]具有模制结构的半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：模制结构，包括堆叠在第一基底上的栅电极；沟道结构，穿透模制结构的第一区域，以与栅电极交叉；第一贯穿结构，穿透模制结构的第二区域；以及第二贯穿结构，穿透模制结构的第三区域。模制结构还包括：存储器单元块，在第一方向上延伸，并且在第二方向上间隔开；以及虚设块，在第一方向上延伸，并且设置在存储器单元块之间。存储器单元块和虚设块中的每个包括布置在第一方向上的单元区域和延伸区域。第一区域是存储器单元块中的一个存储器单元块的单元区域，第二区域是存储器单元块中的所述一个存储器单元块的延伸区域，并且第三区域是虚设块的延伸区域。

技术领域

发明构思通常涉及半导体存储器装置和制造半导体装置的方法。更具体地，发明构思涉及包括阶梯延伸区域的半导体存储器装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

为了满足消费者对优异性能和廉价价格的需求，期望增大半导体装置的集成密度。在半导体存储器装置中，由于半导体存储器装置的集成密度是决定产品的价格的重要因素，因此特别期望增大集成密度。

在二维半导体装置或平面半导体装置的情况下，集成密度主要由单位存储器单元占据的面积决定。因此，集成密度很大程度上受到精细图案形成的水平的影响。然而，由于需要极高价格的设备来使精细图案进一步小型化，因此虽然二维半导体装置的集成密度已经增大但仍会受到限制。因此，已经提出了具有三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。

发明内容

发明构思的实施例提供了表现出改善的集成密度和更大的整体可靠性的半导体存储器装置和制造半导体装置的方法。

在一个实施例中，发明构思提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：模制结构，包括堆叠在第一基底上的栅电极；沟道结构，穿透模制结构的第一区域，以与栅电极交叉；第一贯穿结构，穿透模制结构的第二区域；以及第二贯穿结构，穿透模制结构的第三区域。模制结构还包括：存储器单元块，在第一方向上延伸，并且在第二方向上间隔开；虚设块，在第一方向上延伸，并且设置在存储器单元块之间。存储器单元块和虚设块中的每个包括在第一方向上布置的单元区域和延伸区域，第一区域是存储器单元块中的一个存储器单元块的单元区域，第二区域是存储器单元块中的所述一个的存储器单元块的延伸区域，并且第三区域是虚设块的延伸区域。

在另一实施例中，本发明构思提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一模制结构，堆叠在第一基底上；上金属线，设置在第一模制结构上；第二基底，设置在第一基底下方，并且包括外围电路元件；以及下金属线，设置在外围电路元件上。第一模制结构包括第一存储器单元块和第一虚设块，第一虚设块包括单元区域和延伸区域，延伸区域包括在第一方向布置的接触区域和延伸贯穿区域，并且第一延伸贯穿通路穿透延伸贯穿区域以将上金属线和下金属线连接，由此来自外围电路元件中的一个外围电路元件的目标信号传输到上金属线。

在另一实施例中，发明构思提供了一种半导体存储器装置，所诉半导体存储器装置包括：模制结构，堆叠在第一基底上，并且彼此间隔开，其中，模制结构中的每个模制结构包括交替堆叠的栅电极和第一绝缘图案；块切割区域，在第一方向上延伸，并且将模制结构分离为存储器单元块和虚设块，其中，存储器单元块和虚设块中的每个包括单元区域和延伸区域；沟道结构，在存储器单元块和虚设块的单元区域中穿透模制结构中的一个模制结构；贯穿结构，在存储器单元块的延伸区域中穿透模制结构中的所述一个模制结构；延伸贯穿结构，在虚设块的延伸区域中穿透模制结构中的所述一个模制结构；第二基底，包括与模制结构分别对应的外围电路元件；以及下金属线，设置在外围电路元件与第一基底之间，其中，延伸贯穿结构的一端连接到上金属线，并且延伸贯穿结构的另一端连接到下金属线中的一条下金属线，以将目标信号传输到外围电路元件中的每个外围电路元件。

附图说明

在参照附图考虑特定示例性实施例时，发明构思的上述和其它方面以及特征将变得更清楚，在附图中：

图1是示出根据发明构思的实施例的半导体存储器装置的框图；