[发明专利]具有模制结构的半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

模制结构，包括堆叠在第一基底上的栅电极；

沟道结构，穿透模制结构的第一区域，以与栅电极交叉；

第一贯穿结构，穿透模制结构的第二区域；以及

第二贯穿结构，穿透模制结构的第三区域，

其中，所述模制结构还包括：存储器单元块，在第一方向上延伸，并且在第二方向上间隔开；以及虚设块，在第一方向上延伸，并且设置在存储器单元块之间，

其中，存储器单元块和虚设块中的每个包括在第一方向上布置的单元区域和延伸区域，第一区域是存储器单元块中的一个存储器单元块的单元区域，第二区域是存储器单元块中的所述一个存储器单元块的延伸区域，并且第三区域是虚设块的延伸区域。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，存储器单元块中的所述一个存储器单元块的延伸区域包括在第一方向上交替布置的接触区域和贯穿区域，并且

第一贯穿结构和第二贯穿结构在贯穿区域中穿透模制结构。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，贯穿区域被间隔开，并且包括堆叠在第一基底上且与栅电极布置在同一水平处的绝缘图案。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一贯穿结构是位线贯穿结构和共源极线分接贯穿结构中的一个。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

上金属线，设置在模制结构上；

第二基底，堆叠在第一基底上，并且包括外围电路元件；以及

下金属线，堆叠在外围电路元件上，

其中，第二贯穿结构穿透第一基底，以将上金属线和下金属线电连接，由此通过连接到第三区域的上金属线传输目标信号。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，目标信号是电源信号。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，目标信号是共源极线信号。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，虚设块是顶部虚设块、底部虚设块、共源极线分接虚设块和位线贯穿结构虚设块中的一个。

9.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

第一模制结构，堆叠在第一基底上；

上金属线，设置在第一模制结构上；

第二基底，设置在第一基底下方，并且包括外围电路元件；以及

下金属线，设置在外围电路元件上，

其中，第一模制结构包括第一存储器单元块和第一虚设块，第一虚设块包括单元区域和延伸区域，延伸区域包括在第一方向上布置的接触区域和延伸贯穿区域，并且第一延伸贯穿通路穿透延伸贯穿区域以将上金属线和下金属线连接，由此来自外围电路元件中的一个外围电路元件的目标信号被传输到上金属线。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，虚设块是顶部虚设块、底部虚设块、共源极线分接虚设块和位线贯穿结构虚设块中的一个。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，第一模制结构包括交替堆叠在第一基底上的栅电极和第一绝缘图案，并且

延伸贯穿区域包括与栅电极和第一绝缘图案设置在同一水平处的第二绝缘图案。

12.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

第二模制结构，与第一模制结构间隔开，并且堆叠在第一基底上，其中，第二模制结构通过连接到上金属线的第二延伸贯穿通路共享目标信号。

13.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，目标信号是通过下金属线供应并且提供到第一存储器单元块中的一个第一存储器单元块的地选择晶体管的源极线的共源极线信号。