[发明专利]具有带有焊盘偏移特征的芯片载体的半导体封装在审
| 申请号: | 202111141251.8 | 申请日: | 2021-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN114334893A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 黄志洋;E·菲尔古特;颜台棋;吕志鸿;J·纳拉亚纳萨米;R·奥特伦巴;S·韦策尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/60;H05K1/18 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张伟 |
| 地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 带有 偏移 特征 芯片 载体 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
载体,所述载体具有电绝缘主体和在所述电绝缘主体的第一侧处的第一接触结构;以及
半导体管芯,所述半导体管芯具有附接到所述载体的所述第一接触结构的第一焊盘,所述第一焊盘处于源极或发射极电位,
其中,所述第一焊盘与所述半导体管芯的边缘向内隔开第一距离,
其中,所述半导体管芯具有在所述边缘和所述第一焊盘之间的边缘终止区域,
其中,所述载体的所述第一接触结构与所述半导体管芯的所述边缘向内隔开大于所述第一距离的第二距离,使得在所述半导体管芯的正常操作期间在所述载体的方向上从所述边缘终止区域发出的电场不会到达所述载体的所述第一接触结构。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:
所述载体具有在所述电绝缘主体的与所述第一侧相对的第二侧处的导电结构;
所述导电结构电连接到所述第一接触结构并且覆盖所述半导体管芯的所述边缘终止区域的至少一部分;并且
所述载体具有在所述电绝缘主体的所述第一侧与所述第二侧之间的厚度,所述厚度满足所述半导体管芯的所述边缘终止区域和所述载体的所述导电结构之间的间隙要求。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,所述载体在所述电绝缘主体的所述第一侧与所述第二侧之间的所述厚度在100μm至800μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述载体的面向所述半导体管芯的所述第一焊盘的所述第一接触结构的表面的面积小于所述半导体管芯的面向所述载体的所述第一接触结构的所述第一焊盘的表面的面积。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述载体是在所述电绝缘主体的所述第一侧处具有图案化金属体的直接铜接合衬底、活性金属钎焊衬底或绝缘金属衬底,并且其中,所述第一图案化金属体包括所述载体的所述第一接触结构。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:
所述载体是具有嵌入在电绝缘材料中的铜块的预模制载体;
所述铜块的第一侧未被所述电绝缘材料覆盖并且形成所述载体的所述第一接触结构;
与所述铜块的所述第一侧相对的所述铜块的第二侧未被所述电绝缘材料覆盖,并且形成在所述电绝缘主体的与所述电绝缘主体的所述第一侧相对的第二侧处的导电结构,并且所述导电结构覆盖所述半导体管芯的所述边缘终止区域的至少一部分;并且
所述电绝缘材料具有在所述半导体管芯的所述边缘终止区域与在所述电绝缘主体的所述第二侧处的所述导电结构之间的厚度,所述电绝缘材料的所述厚度满足所述边缘终止区域和所述导电结构之间的间隙要求。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:
所述载体是印刷电路板(PCB),所述印刷电路板具有在所述电绝缘主体的所述第一侧处的第一图案化金属体以及在所述电绝缘主体的与所述电绝缘主体的所述第一侧相对的第二侧处的第二图案化金属体;
所述第一图案化金属体包括所述载体的所述第一接触结构;
所述第二图案化金属体包括覆盖所述半导体管芯的所述边缘终止区域的至少一部分的导电结构;
所述导电结构通过延伸穿过所述电绝缘主体的多个导电过孔电连接到所述第一接触结构;并且
所述印刷电路板具有在所述电绝缘主体的所述第一侧与所述第二侧之间的厚度,所述印刷电路板的所述厚度满足所述半导体管芯的所述边缘终止区域和在所述第二图案化金属体中形成的所述导电结构之间的间隙要求。
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