[发明专利]晶圆结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：

基底；

晶粒，形成在所述基底中；

切割道，形成在所述基底中，并环绕所述晶粒；

测试元件组，设置在所述切割道中；所述测试元件组包括邻接的第一测试元件和第二测试元件，所述第一测试元件和/或所述第二测试元件上具有孔洞；

第三测试元件，设置在所述切割道中，且至少部分所述第三测试元件设置在所述孔洞内。

2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一测试元件和所述第二测试元件均包括图案区和边界区，所述边界区设置在所述图案区的外周；

所述孔洞设置在所述边界区。

3.根据权利要求2所述的晶圆结构，其特征在于，所述第三测试元件的长度不大于所述边界区的长度。

4.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一测试元件和所述第二测试元件上均设有所述孔洞，所述第一测试元件上的所述孔洞位于邻近所述第二测试元件的一侧，所述第二测试元件上的所述孔洞位于远离所述第一测试元件的一侧。

5.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一测试元件上设有第一子孔洞，所述第二测试元件上设有第二子孔洞，所述第一子孔洞和所述第二子孔洞相连通形成所述孔洞。

6.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一测试元件或所述第二测试元件上设有两个或两个以上的所述孔洞。

7.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述切割道的宽度与所述第一测试元件的宽度和所述第三测试元件的宽度的关系为：

xb+yc＞a，且xb≤a；

其中，a为所述切割道的宽度，b为所述第一测试元件的宽度，c为所述第三测试元件的宽度，x为所述第一测试元件沿所述切割道长度方向的行数，x为大于或等于1的整数，y为所述第三测试元件沿所述切割道长度方向的行数，y为大于或等于1的整数。

8.根据权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一测试元件和所述第二测试元件的尺寸相同；

所述第三测试元件的宽度与所述第一测试元件的宽度之和大于所述切割道的宽度。

9.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底中形成晶粒和切割道，所述切割道环绕所述晶粒；

在所述切割道中形成测试元件组，其中，所述测试元件组包括邻接的第一测试元件和第二测试元件；

在所述第一测试元件和/或所述第二测试元件上形成孔洞；

在所述切割道中形成第三测试元件；其中，至少部分所述第三测试元件设置在所述孔洞内。

10.根据权利要求9所述的晶圆结构的制造方法，其特征在于，所述第一测试元件和所述第二测试元件均包括图案区和边界区，所述边界区设置在所述图案区的外周；

所述孔洞设置在所述边界区。

11.根据权利要求10所述的晶圆结构的制造方法，其特征在于，所述第三测试元件的长度不大于所述边界区的长度。

12.根据权利要求9所述的晶圆结构的制造方法，其特征在于，在所述第一测试元件和/或所述第二测试元件上形成孔洞，包括：

在所述第一测试元件和所述第二测试元件均形成所述孔洞，所述第一测试元件上的所述孔洞位于邻近所述第二测试元件的一侧，所述第二测试元件上的所述孔洞位于远离所述第一测试元件的一侧。

13.根据权利要求9所述的晶圆结构的制造方法，其特征在于，在所述第一测试元件和/或所述第二测试元件上形成孔洞，包括：

在所述第一测试元件上设有第一子孔洞，在所述第二测试元件上设有第二子孔洞，所述第一子孔洞和所述第二子孔洞相连通形成所述孔洞。