[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供具有至少一个鳍部的半导体衬底；

在所述半导体衬底的沟槽中形成隔离材料，以填充所述沟槽的至少一部分；

在所述鳍部上形成栅极层，并在所述栅极层的顶面形成阻挡层；以及

对所述半导体衬底进行第一离子注入，其中所述阻挡层配置为在所述第一离子注入的过程中阻挡离子击穿所述栅极层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述鳍部包括：

至少一个第一宽度的第一鳍部；以及

至少一个第二宽度的第二鳍部，其中第一宽度大于第二宽度。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述第一鳍部设置于所述高压器件区，所述第二鳍部设置于所述低压器件区。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底的沟槽中形成隔离材料，以填充所述沟槽的至少一部分包括：

在所述高压器件区的、所述半导体衬底的沟槽中形成第一高度的隔离材料；以及

在所述低压器件区的、所述半导体衬底的沟槽中形成第二高度的隔离材料，其中所述第一高度小于所述第二高度。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在每个鳍部上形成栅极层，并在所述栅极层的顶面形成阻挡层包括：

在所述衬底上形成初始栅极层，以填充所述沟槽且覆盖所述多个鳍部的顶面；

在所述初始栅极层顶面形成初始阻挡层；以及

去除部分所述初始栅极层和所述初始阻挡层，以

在所述第一鳍部上形成第一栅极层，其中所述第一栅极层具有第三高度；

在所述第二鳍部上形成第二栅极层，其中所述第二栅极层具有第四高度，所述第三高度大于所述第四高度；以及

在所述第一栅极层和所述第二栅极层的顶面分别形成第一阻挡层和第二阻挡层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述初始栅极层顶面形成初始阻挡层步骤之前，所述方法还包括：对所述初始栅极层进行平坦化处理。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行第一离子注入，其中所述阻挡层配置为在所述第一离子注入的过程中阻挡离子击穿所述栅极层包括：

对所述高压器件区的、所述半导体衬底进行第一离子注入，其中所述第一阻挡层配置为在所述第一离子注入的过程中阻挡离子击穿所述第一栅极层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述低压器件区的、所述半导体衬底进行第二离子注入，其中所述第二离子的能量低于所述第一离子的能量。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在对所述半导体衬底进行第一离子注入的步骤之后，所述方法还包括：去除所述第一阻挡层和所述第二阻挡层。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述第三高度小于或等于440埃；以及

所述第四高度小于或等于70埃。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述半导体衬底的、位于所述高压器件区的所述第一栅极层两侧的部分中形成源区和漏区；以及

在所述半导体衬底的、位于所述低压器件区的所述第二栅极层两侧的部分中形成源区和漏区。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的制备方法，其特征在于，

所述栅极层包括半导体层；以及

所述阻挡层包括氮化硅层。