[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上方形成鳍结构，其中，所述鳍结构包括沟道层和所述沟道层与所述衬底之间的缓冲层；

在所述沟道层中形成凹槽结构，其中，所述凹槽结构包括位于所述缓冲层上方的底面；

在所述凹槽结构的所述底面上方形成第一外延层，其中，所述第一外延层包括第一锗原子浓度；以及

在所述第一外延层上方形成第二外延层，其中，所述第二外延层包括比所述第一锗原子浓度大的第二锗原子浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述鳍结构包括：在所述缓冲层上方将所述沟道层外延生长为具有沟道厚度，其中，所述沟道厚度与所述鳍结构的高度的比率为约0.1至约0.5。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，外延生长所述沟道层包括以小于所述第二锗原子浓度的第三锗原子浓度外延生长含锗材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述缓冲层与所述衬底包括相同的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述凹槽结构包括：将所述沟道层蚀刻为具有蚀刻深度以限定所述凹槽结构的所述底面，其中，所述蚀刻深度与所述沟道层的厚度的比率为约0.8至约0.95。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述凹槽结构包括：蚀刻所述沟道层的第一部分以限定所述凹槽结构的所述底面，其中，所述沟道层的第二部分的厚度与所述沟道层的另一厚度的比率为约0.05至约0.2。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述鳍结构包括：在所述沟道层上方外延生长另一沟道层，其中，形成所述凹槽结构包括：穿过所述另一沟道层形成所述凹槽结构，并且其中，所述凹槽结构的所述底面处于所述沟道层的底面之上。

8.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上方形成鳍结构，其中，所述鳍结构包括沟道层，所述沟道层的顶面被暴露并由与所述衬底不同的材料制成；

在所述沟道层的所述顶面上方形成栅极结构；

在所述沟道层的第一部分中和所述沟道层的第二部分上方形成凹槽结构，其中，所述凹槽结构与所述栅极结构相邻；以及

在所述凹槽结构中形成源极/漏极(S/D)外延层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述鳍结构包括：以第一锗原子浓度外延生长沟道层，并且其中，形成所述S/D外延层包括：以大于或等于所述第一锗浓度的第二锗原子浓度外延生长所述S/D外延层。

10.一种半导体结构，包括：

衬底；

鳍结构，在所述衬底上方，其中，所述鳍结构包括沟道层和位于所述沟道层与所述衬底之间的缓冲层，并且其中，所述沟道层与所述缓冲层包括不同的锗原子浓度；

栅极结构，在所述鳍结构的第一部分上方；以及

源极/漏极(S/D)区，形成在所述鳍结构的第二部分上方，其中，所述鳍结构的所述第一部分的所述沟道层的第一厚度大于所述鳍结构的所述第二部分的第二厚度。