[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有若干平行于第一方向的鳍部；

位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

位于所述隔离层上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿第二方向横跨若干所述鳍部，所述第一方向与所述第二方向垂直；

位于所述第一栅极结构侧壁的侧墙；

位于所述第一栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂层；

若干源漏导电层，所述源漏导电层连接所述第一栅极结构一侧的若干所述源漏掺杂层，所述第一栅极结构的顶部表面高于所述源漏导电层的顶部表面；

位于所述隔离层上的介质结构，所述介质结构覆盖所述第一栅极结构和所述源漏导电层，且所述介质结构的顶部表面高于所述第一栅极结构和所述源漏导电层的顶部表面；

位于所述介质结构内的第一开口，所述第一开口沿所述第一方向贯穿所述第一栅极结构，且暴露出部分所述隔离层；

位于所述介质结构内的第二开口，所述第二开口暴露出所述源漏导电层的顶部表面；

位于所述第一开口和所述第二开口内的隔离结构，所述隔离结构的材料与所述介质结构的材料不同；

位于所述介质结构内且分别与所述隔离结构相邻的栅极导电开口，所述栅极导电开口暴露出所述第一栅极结构部分顶部表面、以及所述隔离结构的部分侧壁；

位于所述栅极导电开口内的栅极导电层，所述栅极导电层与所述第一栅极结构电连接。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的若干第二栅极结构，所述第二栅极结构沿所述第二方向横跨若干所述鳍部，所述源漏掺杂层位于相邻的所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，或者位于相邻的所述第二栅极结构之间。

3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述介质结构包括：位于所述隔离层上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一栅极结构侧壁，且暴露出所述第一栅极结构的顶部表面、位于所述第一介质层上的第二介质层。

4.如权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料和所述第二介质层的材料相同。

5.如权利要求3所述半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的材料包括：碳化硅、致密的氧化硅、氮碳硼化硅或氮氧化硅；所述第一介质层的材料和所述第二介质层的材料包括：氧化硅、低K介质材料或超低K介质材料。