[发明专利]多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接结构及方法有效

专利信息
申请号: 202110837143.8 申请日: 2021-07-23
公开(公告)号: CN113745169B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 卢茜;张剑;董东;陆吟泉;文泽海;季兴桥;徐榕青;向伟玮 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/04;H01L21/48;B23K31/02
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘世权
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 多腔槽 ltcc 封装 焊接 结构 方法
【权利要求书】:

1.多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接结构,其特征在于,包括多腔槽LTCC基板、封装盒体和连接多腔槽LTCC基板与封装盒体的过渡金属片,所述过渡金属片设有若干不相连的通孔,多腔槽LTCC基板不同区域上连接的过渡金属片的通孔占过渡金属片的面积不同,多腔槽LTCC基板与封装盒体间设有一层应力缓冲层,应力缓冲层包括若干结构完整的应力释放孔。

2.如权利要求1所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接结构,其特征在于,所述过渡金属片通过含有少量助焊剂的辅料与多腔槽LTCC基板焊接;所述过渡金属片通过不含助焊剂的辅料与封装盒体焊接。

3.如权利要求1所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接结构,其特征在于,所述过渡金属片与多腔槽LTCC基板连接的区域包括结构薄弱区、接地敏感区和重合区,重合区为结构薄弱区与接地敏感区重合部分;

在多腔槽LTCC基板的结构薄弱区,过渡金属片的通孔面积占多腔槽LTCC基板的结构薄弱区投影区域面积的至少60%;

在多腔槽LTCC基板的接地敏感区,过渡金属片的通孔面积占多腔槽LTCC基板的接地敏感区投影区域面积的至多40%;

在多腔槽LTCC基板的重合区,过渡金属片的通孔面积占多腔槽LTCC基板的接地敏感区投影区域面积的40%至50%。

4.如权利要求3所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接结构,其特征在于,所述通孔的开孔方式为小孔阵列或网格。

5.如权利要求1所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接结构,其特征在于,所述封装盒体底部设有通槽,在封装盒体底面的通槽投影区域,过渡金属片开与通槽同样外形的开孔,与通槽同样外形的开孔外缘和该开孔相邻的通孔外缘间距不小于0.5mm。

6.多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接方法,所述多腔槽LTCC基板的表面腔槽总面积与表面积之比大于40%,封装盒体的热膨胀系数是LTCC基板热膨胀系数的1-3倍,其特征在于,包括:

S1:通过结构分析确定多腔槽LTCC基板的结构薄弱区,通过电路分析确定多腔槽LTCC基板的接地敏感区;

S2:活化多腔槽LTCC基板焊接面;

S3:在多腔槽LTCC基板焊接面上对应过渡金属片未开孔的区域印刷含有少量助焊剂的辅料;

S4:将过渡金属片焊接在多腔槽LTCC基板焊接面并清洗残留物;

S5:按顺序依次将焊料片、多腔槽LTCC基板和焊接工装装入封装盒体,通过焊接工装对多腔槽LTCC基板施加压力;

S6:将焊接了过渡金属片的多腔槽LTCC基板焊接在封装盒体内。

7.如权利要求6所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接方法,其特征在于,对应设置在多腔槽LTCC基板的结构薄弱区、接地敏感区和重合区的过渡金属片开孔面积分别为:

在多腔槽LTCC基板的结构薄弱区,过渡金属片的通孔面积占多腔槽LTCC基板的结构薄弱区投影区域面积的至少60%;

在多腔槽LTCC基板的接地敏感区,过渡金属片的通孔面积占多腔槽LTCC基板的接地敏感区投影区域面积的至多40%;

在多腔槽LTCC基板的重合区,过渡金属片的通孔面积占多腔槽LTCC基板的接地敏感区投影区域面积的40%至50%;

所述焊料片的外形形状和开孔中心位置与过渡金属片一致。

8.如权利要求6所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接方法,其特征在于,所述活化多腔槽LTCC基板焊接面具体为:

S21:将多腔槽LTCC基板加热至助焊剂活化所需温度;

S22:将助焊剂涂敷至多腔槽LTCC基板的焊接面;

S23:在保温30-60秒后将液体清洗并烘干;

S24:对焊接面做提升后续焊料浸润性的处理。

9.如权利要求6所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接方法,其特征在于,所述含有少量助焊剂的辅料熔点比焊料片熔点高至少30℃。

10.如权利要求6所述的多腔槽LTCC基板与封装盒体焊接方法,其特征在于,所述焊接工装包括压块、支撑体和垫板,垫板直接放置在多腔槽LTCC基板表面,支撑体放置在垫板表面对应多腔槽LTCC基板的非结构薄弱区,压块放置在支撑体上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十九研究所,未经中国电子科技集团公司第二十九研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110837143.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top