[发明专利]一种用于芯片的嵌入式封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种用于芯片的嵌入式封装结构，其特征在于：包括基板、衬底、胶体，所述基板上开设有容置槽，所述衬底安置于所述基板底部，芯片安装于所述容置槽内，使用塑模将所述胶体注塑于所述基板上或者直接使用绝缘胶膜压合于所述基板上；

所述基板制作的方法为：

第一步、钻孔；

第二步、孔金属化；

第三步、内层线路制作；

第四部、叠层；

第五步、层间导通；

第六步、外层线路制作；

第七步、阻焊；

第八步、表面处理；

第九步、开设容置槽；

第十步、安置衬底。

2.一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：

第一步、在基板上开设有容置槽；

第二步、将衬底安置于所述基板的底部；

第三步、通过金线将芯片邦定于所述容置槽内；

第四步、使用塑模将胶体注塑于所述基板上或者直接使用绝缘胶膜压合于所述基板上；

所述基板制作的方法为：

第一步、钻孔；

第二步、孔金属化；

第三步、内层线路制作；

第四部、叠层；

第五步、层间导通；

第六步、外层线路制作；

第七步、阻焊；

第八步、表面处理；

第九步、开设容置槽；

第十步、安置衬底。

3.根据权利要求2所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述内层线路制作的方法包括标准减成法或改良半加成法或半加成法中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述标准减成法为：

第一步、压膜；

第二步、曝光；

第三步、显影；

第四步、蚀刻；

第五步、脱膜。

5.根据权利要求3所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述改良半加成法为：

第一步、开料；

第二步、减铜；

第三步、压膜；

第四步、曝光；

第五步、显影；

第六步、电镀；

第七步、脱膜；

第八步、褪底铜。

6.根据权利要求3所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述半加成法为：

第一步、开料；

第二步、种种子铜；

第三步、压膜；

第四步、曝光；

第五步、显影；

第六步、电镀；

第七步、脱膜；

第八步、褪种子铜。

7.根据权利要求2所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述层间导通的方法包括钻孔+孔金属化或铜柱导通的一种。

8.根据权利要求7所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述钻孔+孔金属化的方法为：

第一步、开料；

第二步、钻孔；

第三步、沉铜；

第四步、电镀铜。

9.根据权利要求7所述的一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述铜柱导通的方法为：

第一步、开料；

第二步、压膜；

第三步、曝光显影；

第四步、铜柱电镀；

第五步、脱膜；

第六步、褪种子铜；

第七步、绝缘层压合；

第八步、研磨。

10.根据权利要求2所述一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述容置槽的开设方法包括激光切割或锣形或磨具冲切中的一种。

11.根据权利要求2所述一种用于芯片的嵌入式封装结构的制作方法，其特征在于：所述衬底为导电或绝缘材料。