[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供第一互连层；在第一互连层上形成层间介电层；在层间介电层内形成通孔，通孔包括顺次连通的第一通孔、第二通孔和第三通孔，第二通孔的中心横截面的直径大于第一通孔及第三通孔的中心横截面的直径；在所述通孔内形成导电结构。本发明通过增加第二通孔的中心横截面的直径，使得在向通孔内填充导电材料时不易产生空隙，有效降低了导电结构的电阻，从而在不改变金属互连结构的基础上，提高了半导体结构的传输性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。

动态随机存储器中通常包括至少两个互连层，相邻的互连层之间通过导电结构进行连接，以实现相邻互连层之间的电性连接。

但是，在形成导电结构的过程，导电结构内容易形成空气隙，增加导电结构的电阻，进而降低半导体结构的性能。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，用于降低导电结构的电阻，提高半导体结构的性能。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例的第一方面提供一种半导体结构的制备方法，其包括如下步骤：

提供第一互连层；

在所述第一互连层上形成层间介电层；

在所述层间介电层内形成通孔，所述通孔包括顺次连通的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第二通孔的中心横截面的直径大于所述第一通孔及所述第三通孔的中心横截面的直径；

在所述通孔内形成导电结构；

在所述层间介电层上形成至少覆盖所述导电结构的第二互连层。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，在所述层间介电层内形成通孔的步骤中包括：

在所述层间介电层内形成刻蚀孔；

在所述刻蚀孔内形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的顶面低于所述层间介电层的顶面，所述刻蚀阻挡层与所述层间介电层围成中间孔；

对所述中间孔进行刻蚀，以形成第二通孔；

去除所述刻蚀阻挡层，以形成第一通孔，除所述第一通孔和所述第二通孔之外的所述刻蚀孔构成第三通孔。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，以垂直于所述第一互连层的平面为纵截面，所述第二通孔的纵截面形状为多边形。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，所述通孔包括至少两个子通孔，两个所述子通孔均包括顺次连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，所述第二子通孔的中心横截面的直径大于所述第一子通孔及所述第三子通孔的中心横截面的直径。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，相邻的两个所述子通孔间隔设置。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，相邻的两个所述子通孔的第二子通孔的点接触。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，相邻的两个所述子通孔的第二子通孔连通。

如上所述的半导体结构的制备方法，其中，在所述通孔内形成导电结构的步骤中包括：

在所述通孔的侧壁上形成阻挡层；