[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一互连层；

在所述第一互连层上形成层间介电层；

在所述层间介电层内形成通孔，所述通孔包括顺次连通的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第二通孔的中心横截面的直径大于所述第一通孔及所述第三通孔的中心横截面的直径；

在所述通孔内形成导电结构；

在所述层间介电层上形成至少覆盖所述导电结构的第二互连层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述层间介电层内形成通孔的步骤中包括：

在所述层间介电层内形成刻蚀孔；

在所述刻蚀孔内形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的顶面低于所述层间介电层的顶面，所述刻蚀阻挡层与所述层间介电层围成中间孔；

对所述中间孔进行刻蚀，以形成第二通孔；

去除所述刻蚀阻挡层，以形成第一通孔，除所述第一通孔和所述第二通孔之外的所述刻蚀孔构成第三通孔。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，以垂直于所述第一互连层的平面为纵截面，所述第二通孔的纵截面形状为多边形。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述通孔包括至少两个子通孔，两个所述子通孔均包括顺次连通的第一子通孔、第二子通孔和第三子通孔。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二子通孔的中心横截面的直径大于所述第一子通孔及所述第三子通孔的中心横截面的直径。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，相邻的两个所述子通孔间隔设置。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，相邻的两个所述子通孔的第二子通孔的点接触。

8.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，相邻的两个所述子通孔的第二子通孔连通。

9.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述通孔内形成导电结构的步骤中包括：

在所述通孔的侧壁上形成阻挡层；

在所述阻挡层围成的区域内形成导电层，所述导电层填充满所述阻挡层围成的区域。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材质包括氮化钛，所述导电层的材质包括钨。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一互连层；

层间介电层，所述层间介电层设置在所述第一互连层上；

导电结构，所述导电结构设置在所述层间介电层内，所述导电结构包括顺次连接的第一导电结构、第二导电结构以及第三导电结构，所述第二导电结构的中心横截面的直径大于所述第一导电结构及所述第三导电结构的中心横截面的直径；

第二互连层，所述第二互连层设置在所述层间介电层上，并至少覆盖所述导电结构。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，以垂直于所述第一互连层的平面为纵截面，所述第二导电结构的纵截面形状为多边形。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电结构包括第一段以及与所述第一段连接的第二段；

沿竖直方向从下至上，所述第一段的宽度逐渐增加，所述第二段的宽度逐渐减小。