[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区；设于有源区上的源极、漏极以及栅极，其中，栅极位于源极和漏极之间；设于无源区上的栅极焊盘和漏极焊盘，漏极与漏极焊盘金属连接，栅极和栅极焊盘金属连接；以及设于源极上的源极测试焊盘。该半导体器件能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度，并具有高抗湿气能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

随着半导体器件的小型化和半导体器件的高集成度的需求，半导体器件的尺寸越来越小，相应地其电性能的问题也日渐突出。因此，为了确保半导体器件的质量，对半导体器件结构进行电性测试就变得尤为重要。

传统的半导体器件为了进行电性测试，通常会设置与器件有源区电性连接的直流测试焊盘，这样，在完成所有制程工艺之后，采用测试探针对测试焊盘进行电性测试，并通过对测试数据进行分析，能够有效监测半导体制造工艺中的问题，有助于制造工艺的调整与优化，以及进行产品良率管控。然而，现有的半导体器件的直流测试焊盘均设置于器件的无源区，如此，将会导致器件有效面积的占用，从而影响单片晶圆的器件产出数量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，其能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度，提高单片晶圆的器件产出数量。

本发明的实施例是这样实现的：

本发明的一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件包括衬底；设于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区；设于有源区上的源极、漏极以及栅极，其中，栅极位于源极和漏极之间；设于无源区上的栅极焊盘和漏极焊盘，漏极与漏极焊盘金属连接，栅极和栅极焊盘金属连接；以及设于源极上的源极测试焊盘。该半导体器件能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度。

可选地，半导体器件还包括覆盖源极、栅极、漏极、栅极焊盘以及漏极焊盘的钝化层；钝化层上分别设有露出源极的第一开孔、露出栅极焊盘的第二开孔，以及露出漏极焊盘的第三开孔；其中，源极测试焊盘由源极测试焊盘金属填充于第一开孔内形成。

可选地，源极测试焊盘金属填充于所述第一开孔内，源极测试焊盘与第一开孔在衬底上的正投影重合。

可选地，源极测试焊盘包括第一部分和与第一部分连接的第二部分；第一部分填充于第一开孔内，第一部分与第一开孔在衬底上的正投影重合，第一部分在远离衬底的一侧与钝化层远离衬底的一侧表面平齐；第二部分自第一开孔内朝向远离衬底的一侧延伸，并在钝化层远离衬底的一侧表面沿平行于衬底的平面向第一开孔外侧延伸，其中，第二部分在衬底上的正投影覆盖第一部分。

可选地，半导体器件还包括栅极测试焊盘，栅极测试焊盘由栅极测试焊盘金属填充于第二开孔内形成；和/或，半导体器件还包括漏极测试焊盘，漏极测试焊盘由漏极测试焊盘金属填充于第三开孔内形成。

可选地，源极测试焊盘金属材料可以是Ni、Pd、Pt、Au、Ti中的任意一种或几种的组合。

可选地，源极包括N个，漏极和栅极分别包括N+1个，N为大于或等于1的正整数；其中，漏极和源极沿有源区的第一方向交替排布，栅极插设于相邻的漏极和源极之间，第一方向与栅极焊盘和漏极焊盘的连线方向垂直。

可选地，源极具有接地通孔时，接地通孔位于源极靠近漏极焊盘的一侧，源极测试焊盘位于源极靠近栅极焊盘的一侧，且源极测试焊盘和接地通孔在衬底上的正投影无交叠区域。

可选地，半导体器件包含欧姆金属层，第一开孔在衬底上的正投影与欧姆金属层在衬底上的正投影无交叠区域。