[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

积层体，交替逐层积层着多个导电层与多个绝缘层；

多个第1板状部，是将所述积层体在它的积层方向贯通同时在与所述积层方向交叉的第1方向横穿所述积层体的多个第1板状部，且空开间隙沿第1方向排列。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层中的每一个在所述积层方向及与所述第1方向交叉的第2方向，经由所述间隙在所述多个第1板状部的两侧相连。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

绝缘部，由所述积层体包围周围；

导电部，在所述积层方向贯通所述绝缘部；及

第2板状部，在所述积层方向贯通与所述多个第1板状部对向侧的所述积层体与所述绝缘部的边界部分，同时在所述第1方向横穿所述边界部分。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在所述多个第1板状部中的至少一个的两侧，还具备阶梯构造，所述阶梯构造在所述第1方向延伸，所述多个导电层或所述多个绝缘层中的每一个成为台阶面，

所述阶梯构造的所述台阶面在所述至少一个第1板状部的两侧，一级一级都不同。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第1柱状体，是将所述积层体在它的积层方向贯通的第1柱状体，且在所述第1柱状体与所述导电层的接触部具有存储单元。

6.一种半导体存储装置，其具备：

第1积层体，交替逐层积层着多个第1绝缘层与多个第2绝缘层；

第2积层体，交替逐层积层着多个导电层与所述多个第2绝缘层，配置在所述第1积层体周围；

板状部，将所述第2积层体在它的积层方向贯通，且在与所述积层方向交叉的第1方向横穿所述第2积层体；及

加宽部，与所述第1积层体对向地设置在所述板状部，具有比所述板状部的宽度更厚的宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述板状部包含：

第2板状部，在所述积层方向及与所述第1方向交叉的第2方向，与所述第1积层体相接。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述板状部包含：

第2板状部，不具有所述加宽部；及

第3板状部，具有所述加宽部；且

所述第2板状部在所述积层方向及与所述第1方向交叉的第2方向，与所述第1积层体相接，在所述积层方向贯通所述第1积层体与所述第2积层体的边界部分，同时在所述第1方向横穿所述边界部分，

所述第3板状部在所述第2方向上与所述第1积层体分离的位置，在所述第1方向横穿所述第2积层体。

9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，还具备：

布线部，设置在所述第1积层体的下方；及

导电体部，将所述第1积层体在它的积层方向贯通，连接到所述布线部。

10.根据权利要求6所述的半导体存储装置，还具备：

第1柱状体，是将所述第2积层体在它的积层方向贯通的第1柱状体，且在所述第1柱状体与所述导电层的接触部具有存储单元。

11.一种半导体存储装置的制造方法，其包含：

形成交替逐层积层着多个导电层与多个绝缘层的积层体；

以空开间隙沿第1方向排列的方式，形成将所述积层体在它的积层方向贯通，同时在与所述积层方向交叉的第1方向横穿所述积层体的多个第1板状部。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，其中

所述积层体的形成包含：

交替逐层积层多个牺牲层与所述多个绝缘层，将所述多个牺牲层置换成所述多个导电层。