[发明专利]封装结构、封装结构的制作方法和应用

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括传导层、基板层、散热层、第一钎焊层以及第二钎焊层，所述传导层与所述基板层的一侧通过所述第一钎焊层结合，所述基板层的另一侧与所述散热层通过所述第二钎焊层结合。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一钎焊层的材料以及所述第二钎焊层的材料为Ag-Cu-Ti合金。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述Ag-Cu-Ti合金以重量百分比计，包括68％～78％的Ag、20％～28％的Cu以及2％～8％的TiH₂。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一钎焊层的厚度为0.1μm～30μm；和/或

所述第二钎焊层的厚度为0.1μm～30μm。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板层的厚度为0.1mm～0.8mm。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热层的厚度为1mm～4mm。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述传导层的厚度为0.1mm～2mm。

8.如权利于要求1～7任一项所述的封装结构，其特征在于，所述传导层的材料为无氧铜；和/或

所述基板层的材料选自氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种；和/或

所述散热层的材料选自紫铜、铝和铝碳化硅中的一种。

9.如权利要求1～7任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括至少一个在所述散热层上且不与所述第二钎焊层所在的一侧接触的散热柱。

10.一种如权利要求1～9任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将由所述传导层材料形成的传导板、由所述基板层材料形成的封装基板以及由所述散热层材料形成的散热板进行还原处理，制备还原处理后的所述传导板、所述封装基板以及所述散热板；

S2：将焊料Ag-Cu-Ti合金涂覆在还原处理后的所述散热板的一侧和所述封装基板的一侧，制备含有焊料的所述散热板和所述封装基板；

S3：将还原处理后的所述传导板与含有焊料的所述封装基板中含有焊料的一侧叠放，将所述封装基板中没有焊料的一侧与含有焊料的所述散热层中含有焊料的一侧叠放，放置于模具中压制制作预组装的封装结构；

S4：将预组装的所述封装结构进行钎焊。

11.如权利于要求10所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S1前还包括对所述传导板、所述封装基板以及所述散热板去除表面油脂和烘干的步骤。

12.如权利于要求10所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S1中还原处理的温度为100℃～300℃，还原处理的时间为5min～10min。

13.如权利于要求10所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S3中压制的压力为1g/cm²～100g/cm²。

14.如权利于要求10所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S4中钎焊的温度为800℃～1050℃，钎焊的时间为10min～45min。

15.如权利于要求10～14任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S4后还包括在所述传导层上进行电路蚀刻和对所述散热层进行电镀的步骤。

16.一种功率半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的封装结构、芯片以及连接所述芯片与所述封装结构的键合线。