[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110651106.8 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115117004A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 森本俊介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
裸片焊盘，配置有半导体芯片；
电极，与上述裸片焊盘离开而配置；以及
树脂部件，将上述半导体芯片、上述裸片焊盘的一部分及上述电极的一部分覆盖；
上述裸片焊盘具有与上述半导体芯片对置且至少有4个第1边的第1下表面；
与上述第1下表面位于相同的平面的上述树脂部件的边与上述第1边不平行；
上述电极在与上述第1下表面相同的平面中具有从上述树脂部件露出的第2下表面，上述第2下表面中的与上述裸片焊盘的上述第1边对置的边相对于上述第1边不平行。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述电极具有沿着上述树脂部件的上述边的侧面；
上述侧面从上述树脂部件露出。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述裸片焊盘具有在与上述第1下表面之间形成阶差并位于上述树脂部件中的第3下表面。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述电极具有在与上述第2下表面之间形成阶差并位于上述树脂部件中的第4下表面。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
上述第4下表面的面积比上述第2下表面的面积大。
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