[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

说明书

本发明公开一种半导体装置及形成半导体装置的方法，半导体装置包括：散热基板，其中，该散热基板的导热系数大于200Wm^‑1K^‑1：以及装置层，设置在该散热基板上，其中该装置层包括晶体管。这样从装置层的FinFET或GAA晶体管或半导体装置中的其他特征产生的热量可以通过散热基板消散，从而改善了半导体装置中的散热。

技术领域

本发明半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置及形成半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置可以应用于各种领域，例如智能电视、语音助手设备(voiceassistant device，VAD)、平板计算机、功能手机、智能手机、光学和蓝光DVD播放器等等。半导体装置通常以以下方式制造：在半导体基板上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并通过使用光刻和蚀刻技术图案化(pattern)各种材料层以在那些层上面形成电路组件和元件。

为了继续进行半导体装置的按比例缩小制程，功能密度(即，每个芯片区域的互连装置的数量)通常已经增加，而几何尺寸(即，可以使用制作制程创建的最小的组件(或线))减少了。这种按比例缩小的制程通常通过提高半导体装置的生产效率和性能以及降低相关成本来提供好处。这种缩小还伴随着半导体装置的设计和制造中复杂性的增加。制造业的并行发展(parallel advance)已使越来越复杂的设计得以精确且可靠地制造。

然而，在努力继续缩小半导体装置的尺寸方面已经出现了许多挑战。例如，热量可能从半导体装置中的非平面(non-planar)晶体管或其他部件产生，从而导致散热问题。因此，半导体装置需要散热以防止热损坏并提高装置可靠性。尽管用于半导体装置的现有散热方法通常已经足以满足其预期目的，但是它们在所有方面都不是完全令人满意的。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法，以解决上述问题。

根据本发明的第一方面，公开一种半导体装置，包括：

散热基板，其中，该散热基板的导热系数大于200Wm^-1K^-1：以及

装置层，设置在该散热基板上，其中该装置层包括晶体管。

根据本发明的第二方面，公开一种形成半导体装置的方法，包括：

提供基底基板；

在所述基底基板上形成散热基板，该散热基板的导热系数大于200Wm^-1K^-1；

在该散热基板上形成装置层，该装置层包括晶体管；以及

移除基底基板。

根据本发明的第三方面，公开一种形成半导体装置的方法，包括：

提供基底基板；

在该基底基板上形成装置层，其中该装置层包括晶体管；

移除该基底基板；以及

将该装置层附着于该散热基板，其中，该散热基板的热导率大于200Wm^-1K^-1。

本发明的半导体装置由于包括：散热基板，其中，该散热基板的导热系数大于200Wm^-1K^-1：以及装置层，设置在该散热基板上，其中该装置层包括晶体管。这样从装置层的FinFET或GAA晶体管或半导体装置中的其他特征产生的热量可以通过散热基板消散，从而改善了半导体装置中的散热。

附图说明

图1示出了根据本发明的一些实施例的半导体装置的示意性截面图。