[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

散热基板，其中，该散热基板的导热系数大于200Wm^-1K^-1：以及

装置层，设置在该散热基板上，其中该装置层包括晶体管。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该散热基板的热导率在200Wm^-1K^-1至1200Wm^-1K^-1之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该散热基板包括介电材料。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该介电材料包括BeO、BN、金刚石或它们的组合。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该散热基板的厚度在75μm至150μm之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该装置层是硅晶体管层。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该硅晶体管层包括鳍状场效应晶体管、环绕栅晶体管或它们的组合。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在该装置层上的互连层。

9.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供基底基板；

在所述基底基板上形成散热基板，该散热基板的导热系数大于200Wm^-1K^-1；

在该散热基板上形成装置层，该装置层包括晶体管；以及

移除基底基板。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在该基底基板上形成该散热基板包括执行CVD制程以形成介电材料层。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在该装置层上形成互连层。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，去除该基底基板包括在该基底基板上执行研磨制程。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在该研磨过程之后，将该基底基板完全去除。

14.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供基底基板；

在该基底基板上形成装置层，其中该装置层包括晶体管；

移除该基底基板；以及

将该装置层附着于该散热基板，其中，该散热基板的热导率大于200Wm^-1K^-1。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，去除该基底基板包括：

用载体保持该装置层；以及

执行研磨制程以完全去除该基底基板。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，当该装置层附接到该散热基板时，该载体保持该装置层。