[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，包括多个分立的器件单元区；所述基底包括衬底和凸出于所述器件单元区衬底的多个凸起部；

隔离层，位于所述衬底上且围绕所述凸起部；

沟道结构层，位于所述凸起部上方且与所述凸起部相间隔，所述沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层；

多个栅极结构，位于所述器件单元区的隔离层上，所述栅极结构横跨所述沟道结构层且包围所述沟道层；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的凸起部上且与所述沟道结构层沿延伸方向的端部相接触；所述源漏掺杂层包括：过渡掺杂层，包括位于所述沟道结构层中的相邻沟道层上的子掺杂层，且相邻沟道层上的所述子掺杂层相接触，所述过渡掺杂层的侧壁为光滑的侧壁；主掺杂层，位于相邻所述沟道结构层沿延伸方向的端部上的过渡掺杂层之间且与所述过渡掺杂层相接触，所述主掺杂层的离子掺杂浓度高于所述过渡掺杂层的离子掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构位于相邻所述沟道层之间的部分、或位于所述沟道层与所述凸起部之间的部分作为第一部分，所述栅极结构横跨所述沟道结构层的部分作为第二部分；沿所述沟道层的延伸方向，所述第一部分的侧壁相对于所述沟道层的侧壁缩进，且所述第二部分的侧壁相对于所述沟道层的侧壁缩进；

所述半导体结构还包括：内侧墙，位于相邻的所述沟道层之间、或沟道层和凸起部之间，且所述内侧墙覆盖所述第一部分的侧壁；栅极侧墙，位于所述第二部分的侧壁且暴露出所述沟道结构层延伸方向的端部；

所述过渡掺杂层覆盖所述内侧墙的侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡掺杂层为U型结构，所述过渡掺杂层还包括位于所述凸起部上的底部掺杂层，且所述底部掺杂层与所述子掺杂层相接触。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层还包括：盖帽掺杂层，位于所述主掺杂层的顶部上，且所述盖帽掺杂层的离子掺杂浓度低于所述主掺杂层的离子掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，当形成PMOS晶体管时，所述过渡掺杂层和主掺杂层包括掺杂有P型离子的应力层，应力层的材料包括Si或SiGe；当形成NMOS晶体管时，所述过渡掺杂层和主掺杂层包括掺杂有N型离子的应力层，应力层的材料包括Si或SiC。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底和凸起部的材料包括：单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和镓化铟中的一种或多种；

所述沟道层的材料包括单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和镓化铟中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的栅电极层；

所述栅介质层的材料包括氧化硅、掺氮氧化硅、HfO₂、ZrO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、La₂O₃和Al₂O₃中的一种或多种；

所述栅电极层的材料包括TiN、TaN、Ti、Ta、TiAL、TiALC、TiSiN、W、Co、Al、Cu、Ag、Au、Pt和Ni中的一种或多种。