[发明专利]IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法在审

专利信息
申请号: 202110473484.1 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113594150A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 彭士玮;邱德馨;曾健庭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/50
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: ic 封装 及其 形成 方法 以及 分配 电源
【说明书】:

一种IC封装件,包括:第一管芯,包括正面和背面,正面包括第一信号路由结构,背面包括第一配电结构;第二管芯,包括正面和背面,正面包括第二信号路由结构,背面包括第二配电结构。IC封装件包括第三配电结构,位于第一配电结构和第二配电结构之间,并且电连接至第一配电结构和第二配电结构中的每一个。本申请的实施例提供了IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及IC封装件及其形成方法以及在IC封装件中分配电源的方法。

背景技术

分隔开的晶圆上的集成电路(IC)通常组合在IC封装件中。IC封装组件通常包括单个管芯、晶圆、衬底、印刷电路板(PCB)、插件、焊料凸块、贯穿通孔、金属互连件、以及电介质和模制材料的组合。IC封装组件有时在3DIC封装件中布置成堆叠件,或者在扇出配置中并排布置,通常称为集成扇出(InFO)2.5D封装件。

发明内容

本申请的实施例提供一种集成电路(IC)封装件,所述IC封装件包括:第一管芯,包括正面和背面,所述正面包括第一信号路由结构,所述背面包括第一配电结构;第二管芯,包括正面和背面,所述正面包括第二信号路由结构,所述背面包括第二配电结构;以及第三配电结构,位于所述第一配电结构和所述第二配电结构之间,并且电连接至所述第一配电结构和所述第二配电结构中的每一个。

本申请的实施例提供一种形成集成电路(IC)封装件的方法,所述方法包括:将第一配电结构构造在包括在所述IC封装件中的第一管芯上,从而将所述第一配电结构电连接至位于所述第一管芯的背面上的第二配电结构;以及将第三配电结构接合至所述第一配电结构,所述第三配电结构位于第二管芯的背面上。

本申请的实施例提供一种在集成电路(IC)封装件中分配电源的方法,所述方法包括:在所述IC封装件中的第一配电结构处接收电源电压;在第二配电结构处从所述第一配电结构接收所述电源电压,所述第二配电结构位于所述IC封装件中的第一管芯的背面上;以及在第三配电结构处从所述第一配电结构接收所述电源电压,所述第三配电结构位于所述IC封装件中的第二管芯的背面上。

本申请的实施例提供了配电结构和方法。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A-图1Cb是根据一些实施例的IC封装件的截面图;

图2A和图2B是根据一些实施例的IC结构的截面图;

图3A和图3B是根据一些实施例的IC结构的平面图;

图4A和图4B是根据一些实施例的IC结构的截面图;

图4C和图4D是根据一些实施例的IC结构的透视图;

图5A-图5E是根据一些实施例的在IC封装件的形成中的中间阶段的截面图;

图6A-图6E是根据一些实施例的在IC封装件的形成中的中间阶段的截面图;

图7A-图7G是根据一些实施例的在IC封装件的形成中的中间阶段的截面图;

图8是根据一些实施例的形成IC封装件的方法的流程图;

图9是根据一些实施例的在IC封装件中分配电源的方法的流程图。

具体实施方式

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