[发明专利]一种大功率碳化硅二极管及其制作方法

说明书

本发明提供了一种大功率碳化硅二极管及其制作方法，包括第一引脚、第二引脚、第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、绝缘封装体、第一导电塑胶、第二导电塑胶。本发明的大功率碳化硅二极管制作方法，经过弯折、焊接、塑封、补胶、涂膜即可完成制作，流程简单，省略了金线焊接工序，加工效率高，并且制作得到的大功率碳化硅二极管，其第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片相对设置并且分别焊接在第一引脚、第二引脚上，能够减少绝缘封装体成型后的体积，解决了常规碳化硅二极管尺寸大的问题。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，具体涉及一种大功率碳化硅二极管及其制作方法。

背景技术

碳化硅材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高饱和电子迁移速率以及极好的物理化学稳定性等特性，适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作，因此部分二极管应用碳化硅材料取代传统的硅材料制作成了碳化硅二极管。

通常，为了提高碳化硅二极管的功率，一般将两个碳化硅芯片并联，如图1所示的电路示意图。这种大功率碳化硅二极管，通常将两个碳化硅芯片共同焊接在同一导电板上，如图2所示第一种常规的碳化硅二极管的结构，两个碳化硅芯片沿图的纵向排列，再通过两个金线连接，这种结构所制成的大功率碳化硅二极管，纵向尺寸较大，应用在电路板上所占用的面积大，不利于多电子元件的电路板的应用，而如图3所示的第二种常规的碳化硅二极管结构，将两个碳化硅芯片沿图的横向排列，虽然能够解决尺寸大的问题，但是由于两金线存在交叉，塑封过程中两金线容易绕线，容易造成产品不良，存在较大的缺陷。

发明内容

针对以上问题，本发明提供一种大功率碳化硅二极管及其制作方法，制作方法简单，适合大功率电路的应用，产品尺寸小，无需使用金线。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案来解决：

一种大功率碳化硅二极管，包括第一引脚、第二引脚、第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、绝缘封装体、第一导电塑胶、第二导电塑胶；

所述第一引脚包括第一导电部、第一焊接部、第一弯折部、第一安装部，所述第一碳化硅芯片的阴极与所述第一焊接部焊接，所述第一导电部与所述第一焊接部呈90°结构，所述第一碳化硅芯片与所述第一导电部之间互不接触；

所述第二引脚包括第二导电部、第二焊接部、第二弯折部、第二安装部，所述第二碳化硅芯片的阳极与所述第二焊接部焊接，所述第二导电部与所述第二焊接部呈90°结构，所述第二碳化硅芯片与所述第二导电部之间互不接触；

所述绝缘封装体上下两端分别形成有第一凹槽、第二凹槽，所述第一导电塑胶填充在所述第一凹槽内侧，所述第二导电塑胶填充在所述第二凹槽内侧；

所述第一导电塑胶两端分别与所述第一导电部、第二碳化硅芯片的阴极相抵触；

所述第二导电塑胶两端分别与所述第二导电部、第一碳化硅芯片的阳极相抵触。

具体的，所述绝缘封装体外侧还覆盖有一层防水膜。

具体的，所述第一焊接部与所述第一弯折部之间所形成的夹角为120°。

具体的，所述第二焊接部与所述第二弯折部之间所形成的夹角为45°。

一种所述大功率碳化硅二极管的制作方法，包括以下步骤：

S1弯折：准备两个导电片，经过冲压成型后制得第一引脚、第二引脚；

S2焊接：准备第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片，将第一碳化硅芯片的阴极与第一焊接部焊接，将第二碳化硅芯片的阳极与第二焊接部焊接；

S3塑封：将第一引脚、第二引脚、第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片固定，经过上胶、烘烤、塑封、固化后形成绝缘封装体，绝缘封装体上下两端分别形成有第一凹槽、第二凹槽；